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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장

Vishay Semiconductors MOSFET TO247 500V 20A N-CH MOSFET
데이터시트
2,672재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 1,000

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms 30 V 2 V 105 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors MOSFET TO247 500V 20A N-CH MOSFET
데이터시트
1,250재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 1,000

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors MOSFET TO247 500V 20A N-CH MOSFET
데이터시트
3,741재고 상태
6,000예상 2026-10-05
최소: 1
배수: 1
최대: 1,000

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms 20 V 2 V 210 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube