NCV51561BBDWR2G

onsemi
863-NCV51561BBDWR2G
NCV51561BBDWR2G

제조업체:

설명:
갈바닉 절연 게이트 드라이버 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Automotive Gate Driver Automotive

데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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제품 속성 속성 값 속성 선택
onsemi
제품 카테고리: 갈바닉 절연 게이트 드라이버
RoHS:  
NCV51561
SMD/SMT
SOIC-16
- 40 C
+ 125 C
58 ns
Reel
Cut Tape
브랜드: onsemi
드라이버 수: 2 Driver
출력 수: 2 Output
제품: MOSFET Gate Drivers
제품 유형: Galvanically Isolated Gate Drivers
팩토리 팩 수량: 1000
하위 범주: PMIC - Power Management ICs
공급 전압 - 최대: 5 V
공급 전압 - 최소: 3 V
기술: SiC
타입: High-Side, Low-Side
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

PCN

규정 준수 코드
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
원산지 분류
COO(원산지):
필리핀
어셈블리 원산지:
필리핀
COD(확산 공정 국가):
일본
배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

게이트 드라이버와 EliteSiC MOSFET 페어링

EV 충전, 에너지 저장, UPS (무정전 전원 시스템) 및 태양광과 같은 에너지 인프라 애플리케이션은 시스템 전력 레벨을 수백 킬로와트 및 메가와트로 추진하고 있습니다. 이 고전력 애플리케이션은 인버터 및 BLDC를 위해 최대 6개의 스위치까지 하프 브리지, 풀 브리지 및 3-phase 토폴로지 듀티 사이클을 사용합니다. 전력 레벨 및 스위칭 속도에 따라 시스템 설계자는 애플리케이션 요구 사항에 가장 적합한 실리콘, IGBT 및 SiC를 포함한 다양한 스위치 기술을 찾고 있습니다.

NCV51561 절연형 이중 채널 게이트 드라이버

onsemi NCV51561 절연형 이중 채널 게이트 드라이버는 4.5A 소스 및 9A 싱크 피크 전류와 단락 및 정합 전파 지연이 특징입니다. NCV51561은 전력 MOSFET 및 SiC MOSFET 전력 스위치를 구동하기 위한 빠른 스위칭을 위해 설계되었습니다.

재고 상태: 982

재고:
982 즉시 배송 가능
공장 리드 타임:
32 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.
982을(를) 초과하는 수량에 대해서는 최소 주문 요구사항이 적용됩니다.
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩6,427.2 ₩6,427
₩4,867.2 ₩48,672
₩4,477.2 ₩111,930
₩4,040.4 ₩404,040
₩3,837.6 ₩959,400
₩3,822 ₩1,911,000
전체 릴(1000의 배수로 주문)
₩3,494.4 ₩3,494,400

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