eMode 질화갈륨 FET

Nexperia e-mode 질화갈륨 FET는 뛰어난 스위칭 성능과 함께 100~650V의 전압 범위를 제공합니다. 이 질화갈륨 FET는 낮은 QC 및 QOSS 값을 통해 빠른 전환 능력을 제공하여 탁월한 전력 효율성을 제공합니다.

결과: 18
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 기술
Nexperia GaN FET GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1,730재고 상태
컷 테이프
₩9,512.1
₩6,228.7
₩4,594
₩4,086.7
릴
₩3,142.5
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FET GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080- 2,115재고 상태
컷 테이프
₩11,654.1
₩6,313.2
₩5,791.8
₩5,650.9
₩5,397.2
릴
₩4,608.1
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FET GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL 238재고 상태
₩13,443.8
₩7,412.4
₩6,820.5
₩6,764.2
최소: 1
배수: 1
Nexperia GaN FET GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT 230재고 상태
₩13,528.3
₩7,637.9
₩7,031.9
₩6,806.4
최소: 1
배수: 1
Nexperia GaN FET GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4 239재고 상태
₩13,556.5
₩7,454.7
₩5,876.4
₩5,636.8
최소: 1
배수: 1
Nexperia GaN FET GANC070-650TBH/SOT8136/TOLL 140재고 상태
₩8,328.4
₩4,382.6
₩3,988
₩3,565.3
최소: 1
배수: 1
Nexperia GaN FET GANC070-650UTH/SOT8155/TOLT 250재고 상태
₩8,934.3
₩4,692.6
₩4,284
₩3,889.4
최소: 1
배수: 1
Nexperia GaN FET GANC070-650WSH/SOT429/TO247-3 240재고 상태
₩8,849.8
₩4,650.4
₩3,706.2
₩3,452.5
최소: 1
배수: 1
Nexperia GaN FET GANE140-700BBA/SOT428/DPAK 2,297재고 상태
컷 테이프
₩6,538.7
₩3,875.3
₩3,198.9
₩2,677.5
₩2,536.6
릴
₩2,043.3
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 17 A 140 mOhms 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FET GANE350-700BBA/SOT428/DPAK 2,284재고 상태
컷 테이프
₩3,762.6
₩2,156.1
₩1,648.8
₩1,393.7
릴
₩1,075.2
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FET GANE190-700BBA/SOT428/DPAK 2,347재고 상태
컷 테이프
₩5,467.7
₩2,776.1
₩2,649.3
₩2,212.4
릴
₩1,719.2
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 11.5 A 190 mOhms 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FET GANE240-700BBA/SOT428/DPAK 2,448재고 상태
컷 테이프
₩4,960.4
₩2,494.3
₩2,311.1
₩1,930.6
릴
₩1,536
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FET GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060 1,906재고 상태
컷 테이프
₩3,663.9
₩1,803.8
₩1,620.6
₩1,290.8
릴
₩1,075.2
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-5 P-Channel 1 Channel 650 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FET GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060- 2,375재고 상태
컷 테이프
₩6,961.4
₩4,086.7
₩3,368
₩2,874.8
₩2,663.4
릴
₩1,916.5
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FET GAN190-650EBE/SOT8074/DFN8080- 531재고 상태
컷 테이프
₩7,158.7
₩4,340.3
₩3,565.3
₩3,015.7
₩2,367.5
릴
₩2,029.2
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FET GAN3R2-100CBE/SOT8072/WLCSP8 526재고 상태
1,500예상 2026-11-09
컷 테이프
₩7,017.8
₩3,635.7
₩3,297.5
₩2,874.8
릴
₩2,437.9
최소: 1
배수: 1
: 1,500
SMD/SMT WLCSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 6 V, + 6 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C 394 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FET GAN7R0-150LBE/SOT8073/FCLGA 387재고 상태
2,500예상 2026-11-16
컷 테이프
₩5,495.9
₩2,888.9
₩2,578.8
₩2,156.1
릴
₩1,803.8
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT FCLGA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 28 A 7 mOhms - 6 V, + 6 V 2.1 V 7.6 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FET GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060- 12재고 상태
2,500주문 중
컷 테이프
₩9,934.9
₩5,932.7
₩4,861.7
₩4,382.6
₩3,875.3
릴
₩2,931.1
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN