결과: 23
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명 포장
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2 2,513재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.4 A 280 mOhms 20 V 3.5 V 41 nC - 40 C + 150 C 104.2 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA 465재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2 1,458재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 99 mOhms 20 V 3.5 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3 579재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 99 mOhms 20 V 3.5 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 6A D2PAK-2 918재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 594 mOhms 20 V 3.5 V 20 nC - 40 C + 150 C 62.5 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3 208재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 63.3 A 43 mOhms 20 V 3.5 V 270 nC - 40 C + 150 C 500 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA 2,186재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA 232재고 상태
240예상 2026-09-25
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 45 mOhms 20 V 3 V 190 nC - 40 C + 150 C 431 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO220-3 2,480재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 110 mOhms 20 V 3 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3 1,200재고 상태
480주문 중
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 43.3 A 72 mOhms 20 V 3.5 V 161 nC - 40 C + 150 C 391 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2 775재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 17.5 A 171 mOhms 20 V 3.5 V 68 nC - 40 C + 150 C 151 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2 10재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.4 A 280 mOhms 20 V 3.5 V 41 nC - 40 C + 150 C 104.2 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS 267재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS 6재고 상태
480예상 2026-09-24
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 6A DPAK-2 292재고 상태
2,500예상 2026-09-24
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 594 mOhms 20 V 3.5 V 20 nC - 40 C + 150 C 62.5 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3 238재고 상태
240예상 2027-05-20
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 63.3 A 43 mOhms 20 V 3.5 V 270 nC - 40 C + 150 C 500 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3 272재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 43.3 A 72 mOhms 20 V 3.5 V 161 nC - 40 C + 150 C 391 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 22.4A TO247-3 415재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22.4 A 150 mOhms 20 V 3.5 V 86 nC - 40 C + 150 C 195.3 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3
456예상 2027-07-22
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 99 mOhms 20 V 3.5 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 99 mOhms 20 V 3.5 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 17.5 A 171 mOhms 20 V 3.5 V 68 nC - 40 C + 150 C 151 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 6A DPAK-2 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 594 mOhms 20 V 3.5 V 20 nC - 40 C + 150 C 62.5 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 8.7A DPAK-2 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 8.7 A 420 mOhms 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 175 C 83.3 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel