IXSxNxL2Kx 실리콘 카바이드 (SiC) MOSFET

IXYS IXSxNxL2Kx 실리콘 카바이드 (SiC) MOSFET은 낮은 온 상태 저항 [RDS (on)]과 함께 높은 차단 전압을 제공합니다. 온 상태 저항은 25mΩ ~160 mΩ 이며 연속 드레인 전류(ID)는 20A ~ 111A 입니다. 이 장치는 낮은 정전 용량으로 고속 스위칭을 제공하고 초고속 진성 바디 다이오드를 갖추고 있습니다. 이 장치는 650V 또는 1,200V 드레인-소스 정격 전압(VDSS)으로 제공됩니다. IXYS IXSxNxL2Kx SiC(탄화 규소) MOSFET은 세 가지 패키지(TO-263-7L, TOLL-8 및 TO-247-4L)로 제공됩니다.

결과: 13
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
IXYS SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
데이터시트
815재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
데이터시트
537재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 450

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
데이터시트
900재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
데이터시트
2,090재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
데이터시트
550재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263
데이터시트
894재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L
데이터시트
890재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L
데이터시트
900재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TOLL
데이터시트
2,095재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TOLL
데이터시트
2,090재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT TTOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET TO247 1200V N CH 20A
데이터시트
546재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 450

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV
데이터시트
550재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV
데이터시트
550재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement