MRFX1K80 기준 회로

NXP Semiconductors MRFX1K80H 기준 회로를 사용하면 NXP MRFX1K80 RF 전력 트랜지스터의 신속한 평가 및 프로토타이핑이 가능합니다. NXP MRFX1K50 RF 전력 LDMOS 트랜지스터는 높은 RF 출력, 우수한 견고성 및 열 성능을 결합한 소자입니다. MRFX1K80 트랜지스터는 1~470MHz 범위의 애플리케이션을 위해 65V CW(연속파)에서 1,800W를 공급하도록 설계되었고, 65:1의 VSWR(전압 정재파 비)을 처리할 수 있습니다.

결과: 6
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS 제품
주파수
도구는 다음 평가를 위한 것임:
작동 공급 전압
프로토콜 - Sub GHz
NXP Semiconductors 1GHz 미만 개발 도구 MRFX1K80H 87.5-108 MHz Reference Circuit
데이터시트
1재고 상태
최소: 1
배수: 1

Reference Design Boards 87.5 MHz to 108 MHz MRFX1K80H Sub GHz
NXP Semiconductors 1GHz 미만 개발 도구 MRFX1K80N 87.5-108 MHz Reference Circuit
데이터시트
5재고 상태
최소: 1
배수: 1

Reference Design Boards 87.5 MHz to 108 MHz MRFX1K80N Sub GHz
NXP Semiconductors 1GHz 미만 개발 도구 MRFX1K80H 81.36 MHz Reference Circuit
데이터시트
비재고 리드 타임 53 주
최소: 1
배수: 1

Reference Design Boards 81.36 MHz MRFX1K80H Sub GHz
NXP Semiconductors 1GHz 미만 개발 도구 MRFX1K80H 175 MHz Reference Circuit
데이터시트
비재고 리드 타임 53 주

Reference Design Boards 175 MHz MRFX1K80H 60 V Sub GHz
NXP Semiconductors 1GHz 미만 개발 도구 MRFX1K80H 64 MHz Reference Circuit
데이터시트
비재고 리드 타임 53 주

Reference Design Boards 64 MHz MRFX1K80H Sub GHz
NXP Semiconductors 1GHz 미만 개발 도구 MRFX1K80H 174-230 MHz Doherty Reference Circuit
데이터시트
비재고 리드 타임 53 주

Reference Design Boards 174 MHz to 230 MHz MRFX1K80H Sub GHz