고전력 후막 저항기용 SMD 랩 키트

고전력 후막 SMD 저항기용 TE Connectivity (TE) SMD 랩 키트는 허용 오차 범위가 1% ~ 5% 이고0402, 0603, 0805, 1206 및 2515 크기로 제공됩니다. CRGH 시리즈는 고전력-크기 비율을 제공하므로 산업 및 범용에 매우 적합합니다. 3521 및 3522 시리즈는 AEC-Q200 인증을 받았으며 고주파 작동을 포함한 볼륨의 자동 배치에 적합합니다. TE SMD 랩 키트는 산업용, 설계 하우스 및 고주파 작동 애플리케이션에 이상적입니다.

결과: 8
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 제품
종단 스타일
패키지/케이스
저항 범위
전력 정격
공차
최저 작동온도
최고 작동온도
전압 정격
TE Connectivity / Holsworthy 저항기 키트 3522 3W 5% ZR, 1R0 1M0 LAB-KIT
데이터시트
4재고 상태
최소: 1
배수: 1

Thick Film Resistor SMD Kits SMD/SMT 2512 (6332 metric) 1 Ohms to 1 MOhms 3 W 5 % - 55 C + 155 C 250 V
TE Connectivity / Holsworthy 저항기 키트 3521 2W 1% 1R0-1M0 LAB-KIT
데이터시트
7재고 상태
최소: 1
배수: 1

Thick Film Resistor SMD Kits SMD/SMT 2512 (3216 metric) 1 Ohms to 1 MOhms 2 W 1 % - 55 C + 155 C 250 V
TE Connectivity / Holsworthy 저항기 키트 CRGH 2512 5% 10R-1M0 LAB-KIT
데이터시트
3재고 상태
최소: 1
배수: 1

Thick Film Resistor SMD Kits SMD/SMT 2512 (3216 metric) 10 Ohms to 1 MOhms 2 W 5 % - 55 C + 155 C 250 V
TE Connectivity / AMP 저항기 키트 3522 3W 1% ZR, 1R0 1M0 LAB-KIT
데이터시트
3재고 상태
최소: 1
배수: 1

Thick Film Resistor SMD Kits SMD/SMT 2512 (3216 metric) 1 Ohms to 1 MOhms 3 W 1 % - 55 C + 155 C 250 V

TE Connectivity / Holsworthy 저항기 키트 CRGH 0402 1% 10R-1M0 LAB-KIT
데이터시트
5재고 상태
20예상 2026-10-13
최소: 1
배수: 1

Thick Film Resistor SMD Kits SMD/SMT 0402 (1005 metric) 10 Ohms to 1 MOhms 100 mW (1/10 W) 1 % - 55 C + 155 C 50 V
TE Connectivity / Holsworthy 저항기 키트 CRGH 0603 1% 10R-1M0 LAB-KIT
데이터시트
5재고 상태
10예상 2026-11-10
최소: 1
배수: 1

Thick Film Resistor SMD Kits SMD/SMT 0603 (1608 metric) 10 Ohms to 1 MOhms 200 mW (1/5 W) 1 % - 55 C + 155 C 50 V
TE Connectivity / Holsworthy 저항기 키트 CRGH 0805 1% 10R-1M0 LAB-KIT
데이터시트
6재고 상태
20예상 2026-11-10
최소: 1
배수: 1

Thick Film Resistor SMD Kits SMD/SMT 0805 (2012 metric) 10 Ohms to 1 MOhms 330 mW (1/3 W) 1 % - 55 C + 155 C
TE Connectivity / Holsworthy 저항기 키트 CRGH 1206 1% 10R-1M0 LAB-KIT
데이터시트
1재고 상태
10예상 2026-11-10
최소: 1
배수: 1

Thick Film Resistor SMD Kits SMD/SMT 1206 (2012 metric) 10 Ohms to 1 MOhms 50 mW (1/20 W) 1 % - 55 C + 155 C 200 V