RV8L002SN 및 RV8C010UN 소신호 MOSFET

ROHM Semiconductor RV8L002SN 및 RV8C010UN 소신호 MOSFET은 무연 초소형 패키지와 탁월한 열 전도를 위한 노출 드레인 패드가 특징입니다. RV8L002SN 및 RV8C010UN MOSFET은 또한 매우 빠른 스위칭, 2.5V 초저 전압 드라이브 및 최대 2kV의 ESD 보호 기능을 제공합니다.

결과: 2
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장
ROHM Semiconductor MOSFET MOSFET Nch, 20V(Vdss), 1.0A(Id), (1.2V, 1.5V Drive)
데이터시트
제품 코멘트
906재고 상태
8,000예상 2026-11-19
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 8,000

Si SMD/SMT DFN-1010-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1 A 470 mOhms - 8 V, 8 V 1 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET MOSFET Nch, 60V(Vdss), 0.2A(Id), (2.5V, 4.0V Drive)
데이터시트
제품 코멘트
6재고 상태
8,000예상 2026-11-04
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 8,000

Si SMD/SMT DFN-1010-3 N-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 2.4 Ohms - 20 V, 20 V 2.3 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel