L-TOGL 및 S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N-채널 MOSFET

Toshiba L-TOGL 및 S-TOGL AEC-Q101 40V/80V/100V N-채널 MOSFET은 매우 낮은 온저항, 높은 드레인 전류 정격 및 높은 방열을 제공합니다. 이는 높은 방열 패키지(L-TOGL(대형 트랜지스터 아웃라인 걸윙 리드) 및 S-TOGL(소형 트랜지스터 아웃라인 걸윙 리드)를 U-MOS IX-H 및 U-MOS X-H 칩 공정과 결합하여 달성됩니다. Toshiba L-TOGL 및 S-TOGL MOSFET은 또한 고전류 기능과 높은 방열을 제공하여 다양한 자동차 애플리케이션에서 전력 밀도를 향상시키는 데 도움이 됩니다. L-TOGL 패키지는 기존 TO-220SM(W) 패키지와 크기가 동일합니다. 그러나 XPQR3004PB는 전류 정격을 크게 향상시키고 온 상태 저항을 일반적으로 0.23mΩ으로 낮춥니다. 설치 면적이 최적화된 L-TOGL 패키지는 동일한 크기의 TO-220SM(W) 패키지와 비교할 때 열 특성을 개선하는 데 도움이 됩니다.

결과: 6
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장
Toshiba MOSFET LTOGL 100V 300A
데이터시트
231재고 상태
10,500예상 2026-08-14
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,500

Si SMD/SMT 2-10AG1A N-Channel 1 Channel 100 V 300 A 1.03 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 269 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET L-TOGL N-CH 80V 350A
데이터시트
814재고 상태
4,500예상 2026-08-14
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,500

Si SMD/SMT 2-10AG1A N-Channel 1 Channel 80 V 350 A 830 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 305 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET L-TOGL N-CH 40V 400A
데이터시트
7,794재고 상태
7,500예상 2026-08-14
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,500

Si SMD/SMT L-TOGL-9 N-Channel 1 Channel 40 V 400 A 470 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 295 nC + 175 C 750 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET S-TOGL N-CH 40V 160A
데이터시트
2,435재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500

Si Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL
데이터시트
3,228재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 530 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 128 nC + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba XPQ1R004PB,LXHQ
Toshiba MOSFET 40V UMOS9 L-TOGL 1mohm
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

Reel