1,200 V PIM IGBT 모듈

Infineon 1,200V PIM IGBT 모듈은 최신 마이크로 패턴 트렌치 기술을 기반으로 TRENCHSTOP™ IGBT7 및 EC7 다이오드 기술을 제공합니다. 이 기술은 손실을 상당히 줄이고 높은 수준의 제어 가능성을 제공합니다. 셀 개념은 이전에 사용된 사각 트렌치 셀과 비교하여 서브 미크론 메사로 분리된 병렬 트렌치 셀을 구현하는 것이 특징입니다. 이 칩은 산업용 드라이브 애플리케이션 및 태양광 에너지 시스템에 특별히 최적화되었습니다. 이는 훨씬 더 낮은 정적 손실, 더 높은 전력 밀도 및 더 부드러운 스위칭을 제공한다는 것을 의미합니다. Infineon 1,200V PIM IGBT 모듈에서 허용되는 최대 작동 온도를 최대 175°C까지높이면 전력 밀도를 대폭 높일 수 있습니다.

결과: 24
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 제품
구성
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-이미터 포화 전압
25 C의 지속적인 컬렉터 전류
게이트-이미터 누설 전류
Pd - 전력 발산
최저 작동온도
최고 작동온도
장착 스타일
기술
포장
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 25 A PIM three phase input rectifier IGBT module
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17재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.85 V 25 A 100 nA 160 W - 40 C + 150 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 LOW POWER ECONO
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10재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP35R12N2T7BPSA2
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 35 A PIM IGBT module
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28재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 25 A PIM IGBT module
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10재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 25 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 50 A PIM IGBT module
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10재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Through Hole Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 25 A PIM IGBT module
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1재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Through Hole Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 75 A PIM IGBT module
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5재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP15R12W1T7BOMA1
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 15 A PIM IGBT module
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24재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 15 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP100R12N3T7B11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 100 A PIM IGBT module
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2재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP25R12W2T7BPSA1
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 25 A PIM IGBT module
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4재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 25 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP35R12W2T7BPSA1
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 35 A PIM IGBT module
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14재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 150 A PIM IGBT module
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4재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 150 A 100 nA - 40 C + 175 C Through Hole Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 LOW POWER ECONO
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3재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 150 A 100 nA - 40 C + 175 C Through Hole Si Tray
Infineon Technologies FP10R12W1T7PB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 모듈 EASY
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4재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 10 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP15R12W1T7PB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 모듈 EASY
데이터시트
14재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 15 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP15R12W1T7PBPSA1
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 15 A PIM IGBT module
데이터시트
20재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 15 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP75R12N2T4BPSA1
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 75 A PIM three phase input rectifier IGBT module
데이터시트
6재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.85 V 75 A 100 nA - 40 C + 150 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 50 A PIM IGBT module
데이터시트
30예상 2026-12-31
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Through Hole Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 LOW POWER ECONO
데이터시트
비재고 리드 타임 3 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Through Hole Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 75 A PIM IGBT module
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 150 A PIM IGBT module
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 150 A 100 nA - 40 C + 175 C Screw Mount Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 LOW POWER ECONO
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 200 A 100 nA - 40 C + 175 C Through Hole Si Tray
Infineon Technologies FP10R12W1T7BOMA1
Infineon Technologies IGBT 모듈 EASY
데이터시트
비재고 리드 타임 3 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 10 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP200R12N3T7BPSA1
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 200 A PIM IGBT module
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 200 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray