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RH7G04CBJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7G04CBJFRATCB
Price: 3447 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

755-RH7G04CBJFRATCB

제조업체 번호:

RH7G04CBJFRATCB

제조업체:

ROHM Semiconductor

설명:

MOSFET Pch -40V -40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

RH7G04CBJFRATCB 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ROHM Semiconductor
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	DFN-8
트랜지스터 극성:	P-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	40 V
Id - 연속 드레인 전류:	40 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	17.7 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 5 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.5 V
Qg - 게이트 전하:	33 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	62 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	ROHM Semiconductor
구성:	Single
하강 시간:	33 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	13 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	16 ns
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 P-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	115 ns
표준 턴-온 지연 시간:	11 ns

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

RH7G04CBJFRATCB 데이터시트

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규정 준수 코드

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 일본
어셈블리 원산지:: 불가능
COD(확산 공정 국가):: 불가능

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

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600V 슈퍼 접합(SJ) MOSFET 에 대해

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RJ1P10BAT P-채널 전력 MOSFET 에 대해

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RQxAT P채널 MOSFET

낮은 온 상태 저항을 가진 표면 실장 패키징이 특징이며, 100% Rg 및 UIS 테스트 완료.

RQxAT P채널 MOSFET 에 대해

재고 상태: 6,000

재고:: 6,000 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 16 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩3,447.6	₩3,448
	₩1,700.4	₩17,004
	₩1,478.9	₩147,890
	₩1,188.7	₩594,350
	₩1,120.1	₩1,120,100
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩981.2	₩2,943,600
	₩943.8	₩5,662,800

RH7G04CBJFRATCB

제조업체: ROHM Semiconductor

설명: MOSFET Pch -40V -40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

사양

설명서 (3)

데이터시트

Other

환경 문서

제품 및 무역 규정 준수

추가 정보

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