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SQJ211ELP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ211ELP-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJ211ELP-T1_GE3
Price: 3572 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

78-SQJ211ELP-T1_GE3

제조업체 번호:

SQJ211ELP-T1_GE3

제조업체:

Vishay / Siliconix

설명:

MOSFET P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

데이터시트:

SQJ211ELP-T1_GE3 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PowerPAK SO-8
트랜지스터 극성:	P-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	100 V
Id - 연속 드레인 전류:	33.6 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	32.2 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.5 V
Qg - 게이트 전하:	45 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	68 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	TrenchFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Vishay / Siliconix
하강 시간:	12 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	20 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	4 ns
시리즈:	SQJ
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	TrenchFET Power MOSFET
표준 턴-오프 지연 시간:	37 ns
표준 턴-온 지연 시간:	14 ns
단위 중량:	2 g

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SQJ211ELP-T1_GE3 데이터시트

Models

R-C Thermal Model Parameters

Technical Resources

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규정 준수 코드

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 중국
어셈블리 원산지:: 불가능
COD(확산 공정 국가):: 불가능

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

SQJ211ELP 자동 P-채널 100V MOSFET

Vishay/Siliconix SQJ211ELP 자동 P-채널 100V MOSFET은 -100V_DS 드레인 소스 전류를 제공하고 걸윙 리드가 있는 PowerPAK^® SO-8L 패키지로 제공됩니다. 이 MOSFET은 10V에서 최대 30Ω의 온 상태 저항과 +175°C의 최대 작동 온도를 제공합니다. Vishay/Siliconix SQJ211ELP 자동 P-채널 100V MOSFET은 AEC-Q101 인증을 받았고, 100% Rg 및 UIS 테스트를 거쳤으며, RoHS 규격을 준수하고 무할로겐입니다.

SQJ 자동차용 MOSFET

Vishay/Siliconix SQJ 자동차용 MOSFET는 TrenchFET^®Gen IV N-채널 40V_DS 전력 MOSFET입니다. 이 AEC-Q101 인증 MOSFET는 1 Q_gd/Q_gs 비율 미만으로 테스트된 100% R_g 및 UIS(언클램프 유도 스위칭)로서 스위칭 특성을 최적화합니다. SQJ 자동차용 MOSFET는 매우 낮은 R_DS(on)를 제공하고 -55~175°C의 온도 범위 내에서 작동합니다.이 자동차 등급 MOSFET는 단일/이중 구성의 PowerPAK^® SO-8L 패키지로 제공됩니다. 일반적으로 자동차, 엔진 관리, 모터 드라이브 및 액추에이터, 및 배터리 관리에 사용됩니다.

주요 제품

VISHAY

SiJK5100E N채널 MOSFET

100 V 드레인-소스 전압 및 536 W 최대 전력 손실을 제공하는 TrenchFET^®Gen V 전력 MOSFET.

SiJK5100E N채널 MOSFET 에 대해

SiEH4800EW 80 V TrenchFET® Gen IV N- 채널 MOSFET

0.00115Ω의 온 상태 저항을 제공하는 PowerPAK^® 8mmx8mm BWL 패키지로 제공됩니다.

SiEH4800EW 80 V TrenchFET® Gen IV N- 채널 MOSFET 에 대해

SiJK140E N-채널 40 V (D-S) MOSFET

동기식 정류 및 자동화에 이상적인 TrenchFET^®Gen V 전력 기술이 특징입니다.

SiJK140E N-채널 40 V (D-S) MOSFET 에 대해

PowerPAK® 10 x 12의 초접합 MOSFET

전력 기술이 특징이며 효율을 최적화하고 전도 중 전력 손실을 최소화합니다.

PowerPAK® 10 x 12의 초접합 MOSFET 에 대해

SiRS5700DP N-채널 150V(D-S) MOSFET

TrenchFET® Gen V 전력 MOSFET으로, 매우 낮은 R_{DS x}Q_g FOM(성능 지수)을 제공합니다.

SiRS5700DP N-채널 150V(D-S) MOSFET 에 대해

재고 상태: 9,577

재고:: 9,577 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 5 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1 최대: 3000

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩3,572.4	₩3,572
	₩2,293.2	₩22,932
	₩1,546	₩154,600
	₩1,232.4	₩616,200
	₩1,131	₩1,131,000
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩1,040.5	₩3,121,500

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

SQJ211ELP-T1_GE3

제조업체: Vishay / Siliconix

설명: MOSFET P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

사양

설명서 (8)

데이터시트

Models

Technical Resources

환경 문서

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추가 정보

SQJ211ELP 자동 P-채널 100V MOSFET

SQJ 자동차용 MOSFET

고객이 함께 구입한 제품:

주요 제품 VISHAY

재고 상태: 9,577

가격 (KRW)

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제조업체:

Vishay / Siliconix

설명:

MOSFET P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

주요 제품

VISHAY