Q-클래스 HiPerFET™ 전력 MOSFET

IXYS Q-Class HiPerFET™ 전력 MOSFET은 하드 스위칭 및 공진 모드 애플리케이션용으로 설계되었습니다. 낮은 게이트 전하, 우수한 견고성 및 고속 진성 다이오드를 제공합니다. IXYS Q-Class HiPerFET™ 전력 MOSFET은 절연 유형을 포함하여 다양한 표준 산업용 패키지로 제공됩니다.

결과: 2
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장

IXYS MOSFET 300V 52A
데이터시트
106재고 상태
210예상 2027-02-22
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 52 A 60 mOhms 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 3.5 Amps 1000V 3 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 300
배수: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3.5 A 3 Ohms 20 V - 40 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube