IGBT – Mouser 대한민국

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모델 BID 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터

Bourns 모델 BID 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)는 MOSFET 게이트와 바이폴라 트랜지스터의 기술을 결합하고 있으며 고전압/고전류 애플리케이션용으로 설계되었습니다. 모델 BID IGBT는 고급 트렌치 게이트 필드 스톱 기술을 사용하여 동적 특성을 보다 효과적으로 제어하여 콜렉터-이미터 포화 전압을 낮추고 스위칭 손실을 줄입니다. IGBT의 작동 온도 범위는 -55°~+150°C이며 TO-252, TO-247 및 TO-247N 패키지로 제공됩니다. 이러한 열 효율적인 구성 요소는 낮은 열 저항을 제공하므로 SMPS(스위치 모드 전원 공급 장치), UPS(무정전 전원 공급 장치) 및 PFC(역률 보정) 애플리케이션에 적합한 IGBT 솔루션이 됩니다.

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결과: 8

적용된 필터:

패키지/케이스

장착 스타일

콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO

콜렉터-이미터 포화 전압

최대 게이트 이미터 전압

25 C의 지속적인 컬렉터 전류

Pd - 전력 발산

최저 작동온도

최고 작동온도

포장

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선택	이미지	부품 번호	제조업체	설명	데이터시트	구매 가능 정보	가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.	수량	RoHS	ECAD 모델	기술	패키지/케이스	장착 스타일	구성	콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO	콜렉터-이미터 포화 전압	최대 게이트 이미터 전압	25 C의 지속적인 컬렉터 전류	Pd - 전력 발산	최저 작동온도	최고 작동온도	시리즈	포장
	IGBT IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252 BIDD05N60T Bourns 1: ₩3,478.8 24,137재고 상태	제조업체 부품 번호 BIDD05N60T Mouser 부품 번호 652-BIDD05N60T	Bourns	IGBT IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252 Bourns model bid igbt 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	24,137재고 상태	컷 테이프 ₩3,478.8 ₩2,230.8 ₩1,505.4 ₩1,199.6 ₩1,099.8 릴 ₩1,004.6 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 2,500			Si	TO-252-3	SMD/SMT	Single	600 V	1.5 V	- 30 V, 30 V	10 A	82 W	- 55 C	+ 150 C	BID	Reel, Cut Tape, MouseReel
	IGBT IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L BIDW75N65EH5 Bourns 1: ₩12,714 5,797재고 상태	제조업체 부품 번호 BIDW75N65EH5 Mouser 부품 번호 652-BIDW75N65EH5	Bourns	IGBT IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L Bourns model bid 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	5,797재고 상태	₩12,714 ₩7,363.2 ₩6,177.6 ₩5,803.2	최소: 1 배수: 1			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.65 V	20 V	150 A	394 W	- 40 C	+ 175 C	BID	Tube
	IGBT IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L BIDW40N65ES5 Bourns 1: ₩9,094.8 2,780재고 상태	제조업체 부품 번호 BIDW40N65ES5 Mouser 부품 번호 652-BIDW40N65ES5	Bourns	IGBT IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L Bourns model bid 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	2,780재고 상태	₩9,094.8 ₩5,148 ₩4,336.8 ₩4,180.8	최소: 1 배수: 1			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.35 V	20 V	80 A	230 W	- 40 C	+ 175 C	BID	Tube
	IGBT IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L BIDW40N65H5 Bourns 1: ₩9,016.8 2,967재고 상태	제조업체 부품 번호 BIDW40N65H5 Mouser 부품 번호 652-BIDW40N65H5	Bourns	IGBT IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L Bourns model bid 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	2,967재고 상태	₩9,016.8 ₩5,148 ₩4,336.8 ₩4,321.2	최소: 1 배수: 1			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.65 V	20 V	80 A	300 W	- 40 C	+ 175 C	BID	Tube
	IGBT IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L BIDW75N65ES5 Bourns 1: ₩11,746.8 2,773재고 상태	제조업체 부품 번호 BIDW75N65ES5 Mouser 부품 번호 652-BIDW75N65ES5	Bourns	IGBT IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L Bourns model bid 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	2,773재고 상태	₩11,746.8 ₩7,363.2 ₩6,177.6 ₩5,803.2	최소: 1 배수: 1			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.42 V	20 V	150 A	394 W	- 40 C	+ 175 C	BID	Tube
	IGBT IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N BIDNW30N60H3 Bourns 1: ₩8,814 137재고 상태	제조업체 부품 번호 BIDNW30N60H3 Mouser 부품 번호 652-BIDNW30N60H3	Bourns	IGBT IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N Bourns model bid igbt 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	137재고 상태	₩8,814 ₩5,366.4 ₩4,305.6 ₩3,135.6	최소: 1 배수: 1			Si	TO-247N-3	Through Hole	Single	600 V	1.65 V	- 20 V, 20 V	60 A	230 W	- 55 C	+ 150 C	BID	Tube
	IGBT IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247 BIDW30N60T Bourns 1: ₩8,580 14재고 상태 3,600예상 2026-10-15	제조업체 부품 번호 BIDW30N60T Mouser 부품 번호 652-BIDW30N60T	Bourns	IGBT IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247 Bourns model bid igbt 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	14재고 상태 3,600예상 2026-10-15	₩8,580 ₩5,132.4 ₩4,212 ₩3,603.6 ₩3,463.2	최소: 1 배수: 1			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	600 V	1.65 V	- 20 V, 20 V	60 A	230 W	- 55 C	+ 150 C	BID	Tube
	IGBT IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247 BIDW50N65T Bourns 1: ₩10,545.6 5재고 상태 4,200예상 2027-02-02	제조업체 부품 번호 BIDW50N65T Mouser 부품 번호 652-BIDW50N65T	Bourns	IGBT IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247 Bourns model bid igbt 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	5재고 상태 4,200예상 2027-02-02	₩10,545.6 ₩6,302.4 ₩5,257.2 ₩4,492.8 ₩4,477.2	최소: 1 배수: 1			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.65 V	- 20 V, 20 V	100 A	416 W	- 55 C	+ 150 C	BID	Tube