모델 BID 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터

Bourns 모델 BID 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)는 MOSFET 게이트와 바이폴라 트랜지스터의 기술을 결합하고 있으며 고전압/고전류 애플리케이션용으로 설계되었습니다. 모델 BID IGBT는 고급 트렌치 게이트 필드 스톱 기술을 사용하여 동적 특성을 보다 효과적으로 제어하여 콜렉터-이미터 포화 전압을 낮추고 스위칭 손실을 줄입니다. IGBT의 작동 온도 범위는 -55°~+150°C이며 TO-252, TO-247 및 TO-247N 패키지로 제공됩니다. 이러한 열 효율적인 구성 요소는 낮은 열 저항을 제공하므로 SMPS(스위치 모드 전원 공급 장치), UPS(무정전 전원 공급 장치) 및 PFC(역률 보정) 애플리케이션에 적합한 IGBT 솔루션이 됩니다.

결과: 8
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
패키지/케이스
장착 스타일
구성
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-이미터 포화 전압
최대 게이트 이미터 전압
25 C의 지속적인 컬렉터 전류
Pd - 전력 발산
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Bourns IGBT IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252
데이터시트
24,157재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si TO-252-3 SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 30 V, 30 V 10 A 82 W - 55 C + 150 C BID Reel, Cut Tape, MouseReel
Bourns IGBT IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
데이터시트
5,809재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 150 A 394 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBT IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L
데이터시트
2,830재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V 20 V 80 A 230 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBT IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L
데이터시트
2,967재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 80 A 300 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBT IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
데이터시트
968재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 100 A 416 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns IGBT IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L
데이터시트
2,773재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.42 V 20 V 150 A 394 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBT IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
데이터시트
257재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 600 V 1.65 V - 20 V, 20 V 60 A 230 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns IGBT IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
데이터시트
40재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.65 V - 20 V, 20 V 60 A 230 W - 55 C + 150 C BID Tube