DDB6U134N16RR IGBT 실리콘 모듈

Infineon Technologies DDB6U134N16RR IGBT 실리콘 모듈은 100A 순방향 전압에서 1.35V 순방향 전압 및 500W 전력 손실을 제공합니다. 이 장치는 -40°C~+150°C의 최대 온도 범위에서 작동합니다. Infineon DDB6U134N16RR IGBT 실리콘 모듈은 45mm x 107.5mm x 20.5mm(W x L x H) 패키지로 제공됩니다.

결과: 3
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
If - 순방향 전류
구성
Vf - 순방향 전압
최저 작동온도
최고 작동온도
기술
포장
Infineon Technologies 다이오드 모듈 LOW POWER ECONO
데이터시트
26재고 상태
최소: 1
배수: 1
Screw Mount 100 A Single 1.35 V - 40 C + 150 C Si Tray
Infineon Technologies 다이오드 모듈 LOW POWER ECONO
데이터시트
13재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Tray
Infineon Technologies 다이오드 모듈 LOW POWER ECONO
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 15
배수: 15

Screw Mount 35 A 1.35 V - 40 C + 150 C Si Tray