π-MOS IX Planar Power MOSFETs

Toshiba π-MOS IX Planar Power MOSFETs offer high-efficiency and low noise in a compact TO-220SIS package. π-MOS IX MOSFETs provide optimal performance due to the double-diffused process design adjustment. With an optimized chip design, the π-MOS IX components provide 5dB lower peak EMI noise than the previous π-MOS VII series, while maintaining the same efficiency level. These N-channel power MOSFETs offer high design flexibility, reducing workloads. In addition, the π-MOS IX series provides the same rated avalanche current and rated drain current (DC), making it simple to replace existing MOSFETs.

결과: 8
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 포장
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=35W 1MHz PWR MOSFET TRNS 347재고 상태
₩2,496
₩1,163.8
₩1,032.7
₩712.9
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 1.7 Ohms 30 V 4 V 16 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS 340재고 상태
₩2,246.4
₩1,040.5
₩920.4
₩616.2
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3.5 A 2.2 Ohms 30 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 35W 740pF 6A 223재고 상태
₩2,215.2
₩1,037.4
₩1,035.8
₩780
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 1.2 Ohms 30 V 2 V 21 nC + 150 C 35 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS 233재고 상태
₩1,716
₩792.5
₩790.9
₩546
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.1 Ohms 30 V 4 V 8 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 45W 1320pF 11A 211재고 상태
₩2,667.6
₩1,268.3
₩1,266.7
₩1,012.4
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 650 mOhms 30 V 2 V 34 nC + 150 C 45 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 40W 1130pF 10A 683재고 상태
₩2,839.2
₩1,352.5
₩1,205.9
₩993.7
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 750 mOhms 30 V 2 V 30 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=40W 1MHz PWR MOSFET TRNS
190예상 2026-12-25
₩3,135.6
₩1,505.4
₩1,338.5
₩1,065.5
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7.5 A 1 Ohms 30 V 4 V 24 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A 비재고 리드 타임 16 주
₩2,480.4
₩1,539.7
₩1,014
₩797.2
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3.7 A 1.9 Ohms 30 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSIX Tube