LFPAK56D 하프 브리지 MOSFET

Nexperia LFPAK56D 하프 브리지 MOSFET은 60% 더 낮은 기생 인덕턴스와 향상된 열 성능을 제공하며 공간 절약형 LFPAK56D 패키지로 제공됩니다. LFPAK56D MOSFET은 PCB 트랙을 제거하고 생산 시 간단한 AOI(자동 광학 검사)를 허용하므로 듀얼 MOSFET 3상 모터 제어 토폴로지보다 PCB 면적이 30% 더 작습니다.

결과: 2
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장
Nexperia MOSFET BUK9V13-40H/SOT1205/LFPAK56D
데이터시트
2,871예상 2027-06-21
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 42 A 13.6 mOhms 20 V 2.2 V 13.9 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET BUK7V4R2-40H/SOT1205/LFPAK56D
데이터시트
리드 타임 16 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 98 A 4.2 mOhms 20 V 3.6 V 26 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel