GEN3 1200V SiC MOSFET 디스크리트 소자

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.

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SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L 391재고 상태
₩17,727.7
₩10,639.5
₩10,625.4
₩9,159.8
최소: 1
배수: 1
SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L 154재고 상태
₩9,864.4
₩5,510
₩5,143.6
₩4,227.6
₩4,072.6
최소: 1
배수: 1
SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L 17재고 상태
90주문 중
₩11,823.2
₩6,411.9
₩5,876.4
₩5,439.5
최소: 1
배수: 1
SemiQ SemiQ Gen3 1200V 14m SiC MOSFET TO-247-4L 비재고 리드 타임 12 주
₩20,165.7
₩11,569.5
₩10,738.1
₩9,653
₩9,540.3
최소: 1
배수: 1
SemiQ SemiQ Gen3 1200V 17m SiC MOSFET TO-247-4L 비재고 리드 타임 12 주
₩18,390.1
₩10,484.4
₩9,709.4
₩8,102.9
최소: 1
배수: 1
SemiQ SemiQ Gen3 1200V 34m SiC MOSFET TO-247-4L 비재고 리드 타임 12 주
₩12,457.3
₩6,750.1
₩6,200.5
₩5,340.9
₩5,129.5
최소: 1
배수: 1
SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L 재고 없음
₩19,404.7
₩13,556.5
₩10,315.3
최소: 1
배수: 1
SemiQ SemiQ Gen3 1200V 16m SiC MOSFET TSPak 비재고 리드 타임 16 주
₩19,996.5
₩11,245.4
₩10,766.3
₩9,554.4
최소: 1
배수: 1
SemiQ SemiQ Gen3 1200V 20m SiC MOSFET TSPak 비재고 리드 타임 16 주
₩18,206.9
₩10,174.4
₩9,723.5
₩8,483.4
₩8,398.8
최소: 1
배수: 1
SemiQ SemiQ Gen3 1200V 40m SiC MOSFET TSPak 비재고 리드 타임 16 주
₩12,245.9
₩6,496.4
₩6,172.3
₩5,256.3
₩5,044.9
최소: 1
배수: 1
SemiQ SemiQ Gen3 1200V 40mO SiC MOSFET TO-247-3L 비재고 리드 타임 20 주
₩12,203.7
₩6,623.2
₩6,073.7
₩5,228.1
₩5,030.8
최소: 1
배수: 1
SemiQ SemiQ Gen3 1200V 72mO SiC MOSFET TO-247-4L 비재고 리드 타임 20 주
₩10,188.5
₩6,806.4
₩5,481.8
₩4,861.7
₩3,903.5
최소: 1
배수: 1
SemiQ SemiQ Gen3 1200V 80m SiC MOSFET TO-263-7L 비재고 리드 타임 16 주
₩9,779.8
₩5,355
₩4,889.9
₩4,086.7
₩3,847.1
최소: 1
배수: 1
SemiQ SemiQ Gen3 1200V 80m SiC MOSFET TSPak 비재고 리드 타임 16 주
₩10,259
₩5,340.9
₩5,059
₩4,284
₩4,044.4
최소: 1
배수: 1