GEN3 1200V SiC MOSFET 디스크리트 소자

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.

모든 결과 (14)

선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS
SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
데이터시트
411재고 상태
60예상 2026-10-06
최소: 1
배수: 1

SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
데이터시트
80재고 상태
최소: 1
배수: 1

SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
데이터시트
175재고 상태
최소: 1
배수: 1

SemiQ SemiQ Gen3 1200V 14m SiC MOSFET TO-247-4L
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

SemiQ SemiQ Gen3 1200V 17m SiC MOSFET TO-247-4L
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

SemiQ SemiQ Gen3 1200V 34m SiC MOSFET TO-247-4L
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

SemiQ SemiQ Gen3 1200V 16m SiC MOSFET TSPak
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

SemiQ SemiQ Gen3 1200V 20m SiC MOSFET TSPak
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

SemiQ SemiQ Gen3 1200V 40m SiC MOSFET TSPak
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

SemiQ SemiQ Gen3 1200V 40mO SiC MOSFET TO-247-3L
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

SemiQ SemiQ Gen3 1200V 72mO SiC MOSFET TO-247-4L
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

SemiQ SemiQ Gen3 1200V 80m SiC MOSFET TO-263-7L
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

SemiQ SemiQ Gen3 1200V 80m SiC MOSFET TSPak
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1