TRENCHSTOP™ 5 H5(고속 5) IGBT

Infineon TRENCHSTOP™ 5 H5(고속 5) IGBT는 고속이며 30kHz보다 빠른 애플리케이션 스위칭을 위한 최고의 효율성을 제공하도록 설계되었습니다. 고속 5 IGBT는 TRENCHSTOP™ 5 기술이 특징이며 RAPID 1의 고속 및 소프트 역병렬 다이오드와 함께 패키징됩니다. H5 IGBT는 하드 스위칭 및 공진 토폴로지에서 동급 최고의 효율을 제공하며 이전 세대의 IGBT에 대한 플러그 앤 플레이 대체품입니다. 일반적으로 UPS, 용접 컨버터, 태양열 스트링 인버터, 중간부터 높은 범위의 스위칭 주파수 컨버터 등에 사용됩니다.

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결과: 14
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Infineon Technologies IGBT INDUSTRY 1,240재고 상태
컷 테이프
₩6,764.2
₩4,622.2
₩3,368
₩2,874.8
릴
₩2,607
최소: 1
배수: 1
: 1,000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode 478재고 상태
₩9,934.9
₩5,693.2
₩4,749
₩4,382.6
최소: 1
배수: 1
IGBTs Si Through Hole
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode 263재고 상태
₩12,288.2
₩7,158.7
₩5,975
₩5,805.9
최소: 1
배수: 1
IGBTs Si Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES 382재고 상태
컷 테이프
₩8,187.5
₩5,467.7
₩4,086.7
₩3,579.4
릴
₩3,368
최소: 1
배수: 1
: 1,000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode 514재고 상태
₩11,428.6
₩8,046.5
₩6,496.4
₩5,777.7
₩5,129.5
최소: 1
배수: 1
IGBTs Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES 396재고 상태
컷 테이프
₩6,933.3
₩4,565.8
₩3,325.7
₩2,832.5
릴
₩2,564.7
최소: 1
배수: 1
: 1,000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT 모듈 650 V, 40 A 3-level IGBT module 8재고 상태
₩112,820.6
₩90,541.1
₩86,003.5
최소: 1
배수: 1
IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩6,905.1
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩3,184.8
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩3,213
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩3,847.1
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode 비재고 리드 타임 52 주
₩14,514.8
₩10,259
₩8,553.8
₩7,623.8
₩7,130.6
최소: 1
배수: 1
IGBTs Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode 비재고 리드 타임 52 주
₩6,270.9
₩5,566.3
최소: 240
배수: 240
IGBTs Si Through Hole
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode 비재고 리드 타임 52 주
₩9,286.6
₩8,272
최소: 240
배수: 240
IGBTs Si Through Hole TO-247-4