GTVA 고전력 RF GaN on SiC HEMT

Wolfspeed/Cree의 GTVA 고전력 RF GaN on SiC HEMT는 GaN on SiC 기술을 기반으로 하는 50V 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)입니다. GaN on SiC 장치는 높은 항복 전압과 결합된 높은 전력 밀도를 제공하여 고효율 전력 증폭기를 지원합니다. GTVA 고전력 RF GaN on SiC HEMT는 입력 정합, 고효율, 열성능 강화 패키지가 특징입니다. 이런 펄스형/CW(연속파) 장치는 펄스 폭이 128μs이고 듀티 사이클은 10%입니다.