1,200V 듀얼 IGBT 모듈

Infineon 1,200V 듀얼 IGBT 모듈은 이미터 제어 7 다이오드, NTC 및 PressFIT 접점 기술이 적용된 EconoDUAL™3 1,200V, 900A 듀얼 TRENCHSTOP ™ IGBT7 모듈입니다. IGBT 모듈은 동일한 프레임 크기에 대해 더 높은 인버터 출력 전류를 제공하고 병렬 연결을 회피합니다. Infineon 1,200V 듀얼 IGBT 모듈은 높은 상호 연결 신뢰성으로 쉽고 안정적인 조립 기능을 제공합니다.

결과: 11
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 제품 구성 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-이미터 포화 전압 25 C의 지속적인 컬렉터 전류 게이트-이미터 누설 전류 Pd - 전력 발산 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 기술 포장
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 450 A dual IGBT module 17재고 상태
₩197,978.5
₩190,946.6
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 600 A dual IGBT module 19재고 상태
₩289,590.6
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 995 A 400 nA 4.05 kW - 40 C + 150 C Through Hole Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 MEDIUM POWER 62MM 10재고 상태
₩250,823.5
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Screw Mount Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 MEDIUM POWER 62MM 20재고 상태
₩293,790
₩280,346.2
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Screw Mount Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 900 A dual IGBT module 6재고 상태
₩387,868.2
₩310,277.7
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FF450R07ME4B11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 모듈 650 V, 450 A dual IGBT module 9재고 상태
₩195,188.3
₩187,761.8
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules Dual 650 V 1.55 V 560 A 100 nA 1.45 kW - 40 C + 150 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 600 A dual IGBT Module 25재고 상태
₩276,499.1
₩257,446.7
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA - 40 C + 150 C Screw Mount Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 900 A dual IGBT module 43재고 상태
₩307,092.9
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 600 A dual IGBT module
23예상 2027-04-13
₩246,074.5
₩243,129.3
최소: 1
배수: 1
Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 750 A dual IGBT module 비재고 리드 타임 24 주
₩262,548.1
최소: 10
배수: 10
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP100R12N3T7BPSA1
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 100 A PIM IGBT module 비재고 리드 타임 26 주
₩154,786.5
최소: 10
배수: 10
Si Tray