전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술

STMicroelectronics는 전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술을 제공합니다. ST는 SMPS, 조명, 모터 제어 및 다양한 산업용 애플리케이션을 대상으로 하는 특정 애플리케이션에 맞춤형으로 구성된 광범위한 MOSFET 및 IGBT 포트폴리오를 제공합니다. ST의 포트폴리오에는 하드 및 소프트 스위치드 토폴로지를 위한 고전압 초접합 MOSFET 및 트렌치 게이트 필드 스톱 IGBT와 전력 변환 및 BLDC 모터 드라이브용 저전압 트렌치 기반 MOSFET이 포함됩니다. ST의 최신 1,200V SiC MOSFET은 200°C의 업계 최고의 정션 온도와 면적당 매우 낮은 RDS(on) 그리고 우수한 스위칭 성능을 제공하여 더욱 효율적이고 컴팩트한 SMPS 설계를 지원합니다. 모터 제어의 경우, M 시리즈 IGBT는 강력한 단락 등급과 함께 최적으로 절충된 VCE(SAT)와 E(off)를 제공합니다. ST의 전력 설계를 위한 완전한 라인의 MOSFET과 IGBT를 살펴보십시오.

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STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5 1,060재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package 2,500재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5 2,899재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII 1,907재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 2,951재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected 5,158재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS 660재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package 2,415재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3


STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed 74재고 상태
1,000예상 2026-11-06
최소: 1
배수: 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 227재고 상태
1,000예상 2027-01-29
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5 774재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package 2,892재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics IGBT 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT 793재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package 887재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag 1,022재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 1,778재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 1,567재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected 2,161재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2 1,877재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package 706재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5 415재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5 973재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 0.65Ohm typ 8A Zener-protect 941재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag 970재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2 2,265재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)