WBSC 와이어 결합 가능 수직 Si 커패시터

Murata WBSC 와이어 결합 가능 수직 실리콘 커패시터는 DC 디커플링에 이상적이며 최대 150°C의 신뢰성이 주요 매개변수인 애플리케이션 전용입니다. 이 Si 커패시터는 반도체 공정을 통해 개발되었으며 1.55nF/mm2~250nF/mm2(각각 450V~11V의 항복 전압을 가짐) 범위의 높은 정전용량 밀도를 통합할 수 있습니다. 생산 과정에서 신뢰성이 높은 커패시터는 고온(900°C 이상)으로 경화되어 매우 순수한 산화물을 생성합니다. 이 기술은 +60ppm/K의 온도 계수로 최대 150°C의 커패시터 안정성에 비해 업계 최고의 성능을 제공합니다. 또한, 실리콘의 고유 특성은 낮은 유전 흡수 및 낮은 제로 압전 효과를 나타내므로 메모리 효과가 없습니다. Murata WBSC 와이어 결합 가능 수직 Si 커패시터 또한 ROHS 규격을 준수합니다.

결과: 8
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 전기 용량
전압 정격
패키지/케이스
공차
시리즈
온도 계수
최저 작동온도
최고 작동온도
포장
Murata Electronics 실리콘 RF 커패시터/박막 Low profile, High temperature, Wirebonding
데이터시트
362재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

4700 pF 33 V 0208 (0520 metric) 15 % WBSC 70 PPM / C - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape
Murata Electronics 실리콘 RF 커패시터/박막
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

WBSC Reel
Murata Electronics 실리콘 RF 커패시터/박막 Low profile, High temperature, Wirebonding
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

0.022 uF 33 V 0402 (1005 metric) 15 % WBSC 70 PPM / C - 55 C + 150 C Reel
Murata Electronics 실리콘 RF 커패시터/박막 Low profile, High temperature, Wirebonding
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2700 pF 33 V 0205 (0512 metric) 15 % WBSC 70 PPM / C - 55 C + 150 C Reel
Murata Electronics 실리콘 RF 커패시터/박막 Low profile, High temperature, Wirebonding
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

3700 pF 33 V 02065 (0516 metric) 15 % WBSC 70 PPM / C - 55 C + 150 C Reel
Murata Electronics 실리콘 RF 커패시터/박막
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

100 pF 0202 (0606 metric) 15 % WBSC 60 PPM / C - 55 C + 150 C Reel
Murata Electronics 실리콘 RF 커패시터/박막
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

1000 pF 0202 (0606 metric) 15 % WBSC 60 PPM / C - 55 C + 150 C Reel
Murata Electronics 실리콘 RF 커패시터/박막
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

0.01 uF 0202 (0606 metric) 15 % WBSC 60 PPM / C - 55 C + 150 C Reel