CoolSiC™ 1,700V SiC 트렌치 MOSFET

Infineon CoolSiC™ 1700V SiC 트렌치 MOSFET은 플라이백 토폴로지에 최적화된 혁신적인 실리콘 카바이드 재료를 특징으로 합니다. SiC 트렌치 MOSFET은 대부분의 플라이 백 컨트롤러와 호환되는 12V/0V 게이트 소스 전압을 제공합니다.

결과: 3
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
데이터시트
8,232재고 상태
3,000예상 2027-07-29
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
최대: 1,000
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 9.8 A 450 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
데이터시트
509재고 상태
25,000주문 중
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 5.2 A 1 Ohms - 10 V, + 20 V 4.5 V 5 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
데이터시트
452재고 상태
2,000주문 중
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 650 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 8 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement CoolSiC