UJ3C trenfet SiC

QorvoUJ3C SiC FET는 고유한 캐스코드 구성을 기반으로 하며 소프트 스위칭 설계에 맞게 최적화된 SiC(탄화 규소) FET입니다. UJ3C SiC FET는 기존 실리콘 기반 장치를 업그레이드하거나 새로운 SiC 기반 설계를 시작하는 데 이상적입니다. 이러한 장치는 SiC JFET와 맞춤 설계된 Si-MOSFET를 통합하여 일반적으로 꺼져 있는 작동, 고성능 보디 다이오드, MOSFET의 이지 게이트 드라이브와 SiC JFET의 효율성, 속도 및 고온 정격의 이상적인 조합을 생성합니다. 그 결과, 기존 시스템은 낮은 전도 및 스위칭 손실, 향상된 열 특성 및 통합된 게이트 ESD 보호로 성능 향상을 기대할 수 있습니다. 

결과: 11
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
상표명
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO220-3
데이터시트
1,526재고 상태
2,000예상 2026-10-20
최소: 1
배수: 1
최대: 100

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247
데이터시트
548재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247
데이터시트
715재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 40

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-3
데이터시트
435재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG3TO24
데이터시트
1,310재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 40

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220-3
데이터시트
394재고 상태
1,000예상 2026-12-28
최소: 1
배수: 1
최대: 200

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24
데이터시트
392재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO24
데이터시트
635재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 110

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG3TO24
데이터시트
590재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO2
데이터시트
54재고 상태
600예상 2026-10-16
최소: 1
배수: 1
최대: 20

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 180 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-3
데이터시트
9재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 66 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET