NV250x0LV 저전압 차량용 직렬 EEPROM

Onsemi NV250x0LV 저전압 오토모티브 등급 1 직렬 EEPROM은 내부적으로 128x8, 256x8, 512x8 비트로 구성된 EEPROM 직렬 1Kb, 2Kb, 4Kb SPI 장치입니다. Onsemi NV250x0LV 구성 요소는 16바이트 페이지 쓰기 버퍼를 갖추고 있으며 직렬 주변 장치 인터페이스(SPI) 프로토콜을 지원합니다. NV250x0LV EEPROM은 부분 및 전체 어레이 보호를 포함한 소프트웨어 및 하드웨어 쓰기 보호 기능을 제공합니다. 추가 식별 페이지는 영구적으로 쓰기 방지할 수 있습니다. 이러한 보호 기능을 통해 자동차 시스템의 중요한 캘리브레이션 및 구성 데이터를 저장하는 데 신뢰할 수 있는 구성 요소를 제공합니다.

결과: 6
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기
인터페이스 타입
최대 클록 주파수
조직
패키지/케이스
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
장착 스타일
데이터 유지
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
onsemi EEPROM 1KB SPI SER CMOS EEPROM - LOW VCC RANGE
데이터시트
3,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 300
: 3,000

1 kbit SPI 20 MHz 128 x 8 TSSOP-8 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 125 C NV25010LV Reel, Cut Tape
onsemi EEPROM 2KB SPI SER CMOS EEPROM TSSOP8 - LOW VCC RANGE
데이터시트
3,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 300
: 3,000

2 kbit SPI 20 MHz 256 x 8 TSSOP-8 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 125 C NV25020LV Reel, Cut Tape
onsemi EEPROM 1KB SPI SER CMOS EEPROM -LOW VCC RANGE
데이터시트
2,844재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 240
: 3,000

1 kbit SPI 20 MHz 128 x 8 SOIC-8 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 125 C NV25010LV Reel, Cut Tape
onsemi EEPROM 4KB SPI SER CMOS EEPROM FOR VCC=1.7V
데이터시트
2,998재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 150
: 3,000

4 kbit SPI 20 MHz 512 x 8 SOIC-8 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 125 C NV25040LV Reel, Cut Tape
onsemi EEPROM 4KB SPI SER CMOS EEPROM FOR VCC=1.7V
데이터시트
3,000예상 2026-08-07
최소: 1
배수: 1
최대: 300
: 3,000

4 kbit SPI 20 MHz 512 x 8 TSSOP-8 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 125 C NV25040LV Reel, Cut Tape
onsemi EEPROM 2KB SPI SER CMOS EEPROM SOIC8 - LOW VCC RANGE
데이터시트
3,000예상 2027-01-22
최소: 1
배수: 1
최대: 300
: 3,000

2 kbit SPI 20 MHz 256 x 8 SOIC-8 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 125 C NV25020LV Reel, Cut Tape