A5Gx Airfast RF 전력 질화갈륨 트랜지스터

NXP Semiconductors   A5Gx Airfast RF 전력 질화갈륨 트랜지스터는 85W 및 112W 비대칭 도허티 RF 전력 질화갈륨 트랜지스터입니다. NXP Semiconductors   A5Gx 트랜지스터는 넓은 대역폭이 필요한 셀룰러 기지국에 이상적입니다. 이 장치의 성능은 각 부품에 대해 지정된 주파수 범위 내에서 보장되지만 외부에서는 보장되지 않습니다.

결과: 6
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
Vds - 드레인 소스 항복 전압
최저 작동온도
최고 작동온도

NXP Semiconductors GaN FET Airfast RF Power GaN Transistor, 717-850 MHz, 112 W Avg., 50 V
데이터시트
90재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors GaN FET Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V
데이터시트
비재고 리드 타임 53 주
최소: 1
배수: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors GaN FET Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V
데이터시트
213재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C

NXP Semiconductors GaN FET Airfast RF Power GaN Transistor, 1930 1995 MHz, 85 W Avg., 48 V
데이터시트
35재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250



NXP Semiconductors GaN FET Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 85 W Avg., 48 V
데이터시트
2재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors GaN FET Airfast RF Power GaN Transistor, 865-960 MHz, 112 W Avg., 50 V
데이터시트
비재고 리드 타임 53 주
최소: 1
배수: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C