결과: 8
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 957재고 상태
2,160주문 중
₩30,227.3
₩22,575.4
₩19,517.4
₩18,474.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 97 A 17 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2 530재고 상태
2,160주문 중
₩22,293.5
₩16,980.9
₩14,148.4
₩12,598.2
₩11,780.9
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 69 A 25 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2 1,519재고 상태
240주문 중
₩17,530.4
₩12,682.8
₩10,569
₩9,399.4
₩8,793.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 48 A 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2 374재고 상태
480예상 2026-12-14
₩14,557
₩7,919.7
₩7,313.7
₩7,299.7
₩7,116.5
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 38 A 53 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 53재고 상태
3,360주문 중
₩40,345.4
₩32,298.9
₩27,930.3
₩26,436.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 129 A 12 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 22재고 상태
1,440주문 중
₩18,037.8
₩9,991.2
₩9,385.3
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 55 A - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
2,710주문 중
₩26,817.1
₩20,433.4
₩17,023.1
₩15,163
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 80 A 22 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
2,860주문 중
₩12,978.7
₩8,863.9
₩7,313.7
₩6,510.5
₩6,087.7
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 28 A 78 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement CoolSiC