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SCT4045DWAHRTL

Name: ROHM Semiconductor SCT4045DWAHRTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4045DWAHRTL
Price: 18985 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

755-SCT4045DWAHRTL

제조업체 번호:

SCT4045DWAHRTL

제조업체:

ROHM Semiconductor

설명:

SiC MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC

데이터시트:

SCT4045DWAHRTL 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ROHM Semiconductor
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	TO-263-7
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	750 V
Id - 연속 드레인 전류:	31 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	59 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4.8 V
Qg - 게이트 전하:	63 nC
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	93 W
채널 모드:	Enhancement
브랜드:	ROHM Semiconductor
구성:	Single
하강 시간:	10 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	9.3 S
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
제품:	SiC MOSFETS
제품 유형:	SiC MOSFETS
상승 시간:	16 ns
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
타입:	Power MOSFET
표준 턴-오프 지연 시간:	27 ns
표준 턴-온 지연 시간:	5.1 ns

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SCT4045DWAHRTL 데이터시트

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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규정 준수 코드

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 태국
어셈블리 원산지:: 불가능
COD(확산 공정 국가):: 불가능

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

4세대 N채널 SiC 전력 MOSFET

ROHM Semiconductor 4세대 N-채널 SiC(실리콘 카바이드) 전력 MOSFET은 단락 저항 시간을 개선하여 낮은 온 저항을 제공합니다. 4세대 SiC MOSFET은 병렬 연결이 용이하고 구동이 간단합니다. 이 MOSFET은 빠른 스위칭 속도/역방향 회복, 낮은 스위칭 손실, +175°C의 최대 작동 온도가 특징입니다. ROHM의 4세대 N-채널 SSiC 전력 MOSFET은 장치의 전력 절감에 기여하는 15V 게이트-소스 전압을 지원합니다.

SCT4045DWAHR AEC-Q101 N-채널 SiC 전력 MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4045DWAHR AEC-Q101 N-채널 SiC (탄화 규소) 전력 MOSFET은 열악한 환경의 고효율, 고신뢰성 애플리케이션을 위해 설계된 자동차 등급 장치입니다. 드레인-소스 전압 정격이 750V이고 연속 드레인 전류가 (칩당 +25°C에서)31A인 이 이중 MOSFET 장치는 채널당 45mΩ의 일반적인 온 상태 저항을 제공하여 전도 손실을 줄이고 열 성능을 개선할 수 있습니다. 콤팩트한 TO-263-7LA 구성 패키지로 제공되는 ROHMSCT4045DWAHR은 고밀도 설계와 효율적인 열 관리를 지원합니다.

AEC-Q101 SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch-mode power supplies. The SiC Power MOSFETs can boost switching frequency, decreasing the volumes of capacitors, reactors, and other components required. AEC-Q101 SiC Power MOSFETs offer excellent reductions in size and weight within various drive systems, such as inverters and DC-DC converters in vehicles. Vehicle batteries are trending towards larger capacities with shorter charging times. This demands high power and efficiency on board chargers such as 11kW and 22kW. This leads to increased adoption of SiC MOSFETs. The AEC-Q101 SiC Power MOSFETs meet the needs of electronic vehicles and utilize a trench gate structure. The future design of ROHM's SiC MOSFETs endeavors to improve quality, strengthen its lineup to increase device performance, reduce power consumption, and achieve greater miniaturization.