G3VH SiC MOSFET 계전기

Omron G3VH SiC MOSFET 계전기는 SiC(탄화 규소) MOSFET 기술을 기반으로 하는 고부하 전압 MOSFET 계전기로, 1,000V 이상의 전압에서 스위칭이 가능합니다. 이 계전기는 효율적인 작동을 위해 낮은 온 상태 저항을 유지하면서 최대 1,800V 또는 3,300V 부하 전압을 지원합니다. G3VH 계전기는 상시 개방(1A/SPST-NO) 접점 구성을 갖춘 소형 6핀 DIP 패키지로 설계되었습니다. 이 G3VH SiC MOSFET 계전기는 50mA 입력 순방향 전류, 입력과 출력 사이 최대 5,000Vrms의 높은 절연, 빠른 스위칭 성능을 특징으로 합니다. 일반 애플리케이션에는 고전압 스위칭이 필요한 반도체 테스트 장비 및 BMS(배터리 관리장치)가 포함됩니다.

결과: 6
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 포장
장착 스타일
부하 전압 정격
계전기 접촉 형식
패키지/케이스
출력 타입
최저 작동온도
최고 작동온도
길이
너비
높이
시리즈
Omron Electronics 솔리드 스테이트 릴레이 - PCB 장착 1800 V 30 mA SiC MOSFET
데이터시트
50재고 상태
50예상 2026-07-29
최소: 1
배수: 1

PCB Mount 1.8 kV 1 Form A (SPST-NO) DIP-6 MOSFET - 20 C + 85 C 8.8 mm (0.346 in) 6.4 mm (0.252 in) 3.4 mm (0.134 in) G3VH
Omron Electronics 솔리드 스테이트 릴레이 - PCB 장착 1800 V 30 mA SiC MOSFET
데이터시트
50재고 상태
50예상 2026-07-29
최소: 1
배수: 1

PCB Mount 1.8 kV 1 Form A (SPST-NO) DIP-6 MOSFET - 20 C + 85 C 8.8 mm (0.346 in) 6.4 mm (0.252 in) 3.4 mm (0.134 in) G3VH
Omron Electronics 솔리드 스테이트 릴레이 - PCB 장착 3300 V 300 mA SiC MOSFET
데이터시트
50재고 상태
50예상 2026-07-29
최소: 1
배수: 1

PCB Mount 2.64 kV 1 Form A (SPST-NO) DIP-6 MOSFET - 20 C + 85 C 8.8 mm (0.346 in) 6.4 mm (0.252 in) 3.4 mm (0.134 in) G3VH
Omron Electronics 솔리드 스테이트 릴레이 - PCB 장착 3300 V 300 mA SiC MOSFET
데이터시트
50재고 상태
50예상 2026-07-29
최소: 1
배수: 1

PCB Mount 2.64 kV 1 Form A (SPST-NO) DIP-6 MOSFET - 20 C + 85 C 8.8 mm (0.346 in) 6.4 mm (0.252 in) 3.4 mm (0.134 in) G3VH
Omron Electronics 솔리드 스테이트 릴레이 - PCB 장착 1800V 30 mA SiC MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Reel PCB Mount 1.8 kV 1 Form A (SPST-NO) DIP-6 MOSFET - 20 C + 85 C 8.8 mm (0.346 in) 6.4 mm (0.252 in) 3.4 mm (0.134 in) G3VH
Omron Electronics 솔리드 스테이트 릴레이 - PCB 장착 3300V 300 mA SiC MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Reel PCB Mount 2.64 kV 1 Form A (SPST-NO) DIP-6 MOSFET - 20 C + 85 C 8.8 mm (0.346 in) 6.4 mm (0.252 in) 3.4 mm (0.134 in) G3VH