SiC 쇼트키 다이오드 – Mouser 대한민국

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TRSx65H SiC 쇼트키 배리어 다이오드

Toshiba TRSx65H SiC(탄화 규소) SBD(쇼트키 배리어 다이오드)는 쇼트키 금속을 활용하는 3세대 기술 650V 장치입니다. 이 구성 요소는 2세대 제품의 JBS(접합 배리어 쇼트키) 구조를 최적화하여 쇼트키 인터페이스에서 전기장을 낮추고 누설 전류를 줄여 효율을 향상시킵니다. TRSx65H은 2세대 장치보다 17% 더 낮은 순방향 전압(표준1.2V)을 달성하고 순방향 전압과 총 정전용량 전하(표준17nC) 사이 균형을 개선합니다. 향상된 순방향 전압과 역전류 비율을 통해 1.1 µA의 표준 절연 저항을 달성합니다. 다른 특징으로는 최대 12A의 순방향 DC 전류와 최대 640A의 구형파 비반복 서지 전류를 들 수 있습니다.

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SMD/SMT

DFN-8

8 A

650 V

1.2 V

410 A

2 uA

Reel, Cut Tape

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SMD/SMT

DFN-8

4 A

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1.2 V

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: 2,500

SMD/SMT

DFN-8

6 A

650 V

1.2 V

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650 V

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TO-220-2L

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8 A

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1.2 V

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