SiC 쇼트키 다이오드 – Mouser 대한민국

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TRSx65H SiC 쇼트키 배리어 다이오드

Toshiba TRSx65H SiC(탄화 규소) SBD(쇼트키 배리어 다이오드)는 쇼트키 금속을 활용하는 3세대 기술 650V 장치입니다. 이 구성 요소는 2세대 제품의 JBS(접합 배리어 쇼트키) 구조를 최적화하여 쇼트키 인터페이스에서 전기장을 낮추고 누설 전류를 줄여 효율을 향상시킵니다. TRSx65H은 2세대 장치보다 17% 더 낮은 순방향 전압(표준1.2V)을 달성하고 순방향 전압과 총 정전용량 전하(표준17nC) 사이 균형을 개선합니다. 향상된 순방향 전압과 역전류 비율을 통해 1.1 µA의 표준 절연 저항을 달성합니다. 다른 특징으로는 최대 12A의 순방향 DC 전류와 최대 640A의 구형파 비반복 서지 전류를 들 수 있습니다.

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결과: 12

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부품 번호

SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 3A TO-220-2L

TRS3E65H,S1Q
Toshiba
1: ₩4,377.6
1재고 상태

제조업체 부품 번호
TRS3E65H,S1Q

Mouser 부품 번호
757-TRS3E65HS1Q

Toshiba

SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 3A TO-220-2L

Toshiba trsx65h sic diodes 에 대해

데이터시트

1재고 상태

₩4,377.6

₩2,477.6

₩1,869.6

₩1,494.2

₩1,276.8

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-220-2L

3 A

650 V

1.2 V

170 A

2 uA

Tube

SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 10A DFN8x8

TRS10V65H,LQ
Toshiba
1: ₩6,992
1,933재고 상태

제조업체 부품 번호
TRS10V65H,LQ

Mouser 부품 번호
757-TRS10V65HLQ

Toshiba

SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 10A DFN8x8

Toshiba trsx65h sic diodes 에 대해

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1,933재고 상태

컷 테이프

₩6,992

₩4,605.6

₩3,252.8

₩2,751.2

릴

₩2,280

₩2,234.4

최소: 1
배수: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN-8

10 A

650 V

1.2 V

510 A

2 uA

Reel, Cut Tape

SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 12A DFN8x8

TRS12V65H,LQ
Toshiba
1: ₩7,660.8
3,858재고 상태

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Toshiba

SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 12A DFN8x8

Toshiba trsx65h sic diodes 에 대해

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3,858재고 상태

컷 테이프

₩7,660.8

₩5,076.8

₩3,602.4

₩3,116

릴

₩2,538.4

₩2,523.2

최소: 1
배수: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN-8

12 A

650 V

1.2 V

640 A

2.4 uA

Reel, Cut Tape

SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 4A DFN8x8

TRS4V65H,LQ
Toshiba
1: ₩4,651.2
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₩4,651.2

₩3,009.6

₩2,082.4

₩1,672

릴

₩1,401.4

보기

최소: 1
배수: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN-8

4 A

650 V

1.2 V

230 A

2 uA

Reel, Cut Tape

SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 6A DFN8x8

TRS6V65H,LQ
Toshiba
1: ₩5,502.4
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SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 6A DFN8x8

Toshiba trsx65h sic diodes 에 대해

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4,849재고 상태

컷 테이프

₩5,502.4

₩3,587.2

₩2,492.8

₩2,036.8

릴

₩1,702.4

보기

최소: 1
배수: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN-8

6 A

650 V

1.2 V

310 A

2 uA

Reel, Cut Tape

SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 8A DFN8x8

TRS8V65H,LQ
Toshiba
1: ₩6,232
2,245재고 상태

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Toshiba

SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 8A DFN8x8

Toshiba trsx65h sic diodes 에 대해

데이터시트

2,245재고 상태

컷 테이프

₩6,232

₩4,088.8

₩2,872.8

₩2,386.4

릴

₩2,173.6

보기

최소: 1
배수: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN-8

8 A

650 V

1.2 V

410 A

2 uA

Reel, Cut Tape

SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 12A TO-220-2L

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Toshiba trsx65h sic diodes 에 대해

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108재고 상태

₩7,630.4

₩4,727.2

₩3,967.2

₩2,675.2

보기

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-220-2L

12 A

650 V

1.2 V

640 A

2.4 uA

Tube

SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 4A TO-220-2L

TRS4E65H,S1Q
Toshiba
1: ₩4,651.2
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SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 4A TO-220-2L

Toshiba trsx65h sic diodes 에 대해

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224재고 상태

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최소: 1
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Through Hole

TO-220-2L

4 A

650 V

1.2 V

230 A

2 uA

Tube

SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 6A TO-220-2L

TRS6E65H,S1Q
Toshiba
1: ₩5,487.2
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Toshiba

SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 6A TO-220-2L

Toshiba trsx65h sic diodes 에 대해

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150재고 상태

₩5,487.2

₩2,751.2

₩2,523.2

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최소: 1
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Through Hole

TO-220-2L

6 A

650 V

1.2 V

310 A

2 uA

Tube

SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 8A TO-220-2L

TRS8E65H,S1Q
Toshiba
1: ₩6,186.4
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Mouser 부품 번호
757-TRS8E65HS1Q

Toshiba

SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 8A TO-220-2L

Toshiba trsx65h sic diodes 에 대해

데이터시트

31재고 상태

₩6,186.4

₩3,161.6

₩2,857.6

₩2,036.8

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최소: 1
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Through Hole

TO-220-2L

8 A

650 V

1.2 V

410 A

2 uA

Tube

SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 10A TO-220-2L

TRS10E65H,S1Q
Toshiba
1: ₩6,961.6
150예상 2026-07-13

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Toshiba trsx65h sic diodes 에 대해

데이터시트

150예상 2026-07-13

₩6,961.6

₩3,572

₩3,237.6

₩2,660

₩2,340.8

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-220-2L

10 A

650 V

1.2 V

510 A

2 uA

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TRS2E65H,S1Q
Toshiba
1: ₩3,754.4
172예상 2026-11-05

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SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 2A TO-220-2L

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172예상 2026-11-05

₩3,754.4

₩2,143.2

₩1,641.6

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₩1,115.7

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