TRSx65H SiC 쇼트키 배리어 다이오드

Toshiba TRSx65H SiC(탄화 규소) SBD(쇼트키 배리어 다이오드)는 쇼트키 금속을 활용하는 3세대 기술 650V 장치입니다. 이 구성 요소는 2세대 제품의 JBS(접합 배리어 쇼트키) 구조를 최적화하여 쇼트키 인터페이스에서 전기장을 낮추고 누설 전류를 줄여 효율을 향상시킵니다. TRSx65H은 2세대 장치보다 17% 더 낮은 순방향 전압(표준1.2V)을 달성하고 순방향 전압과 총 정전용량 전하(표준17nC) 사이 균형을 개선합니다. 향상된 순방향 전압과 역전류 비율을 통해 1.1 µA의 표준 절연 저항을 달성합니다. 다른 특징으로는 최대 12A의 순방향 DC 전류와 최대 640A의 구형파 비반복 서지 전류를 들 수 있습니다.

결과: 12
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 If - 순방향 전류 Vrrm - 반복 역 전압 Vf - 순방향 전압 If - 순방향 서지 전류 Ir - 역 전류 포장
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 8A DFN8x8 2,134재고 상태
컷 테이프
₩5,179.2
₩2,698.8
₩2,324.4
₩2,090.4
릴
₩1,747.2
₩1,622.4
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-8 8 A 650 V 1.2 V 410 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 4A DFN8x8 6,822재고 상태
컷 테이프
₩3,634.8
₩1,762.8
₩1,591.2
₩1,522.6
릴
₩1,522.6
₩1,054.6
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-8 4 A 650 V 1.2 V 230 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 6A DFN8x8 4,789재고 상태
컷 테이프
₩4,305.6
₩2,121.6
₩1,903.2
₩1,762.8
릴
₩1,762.8
₩1,326
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-8 6 A 650 V 1.2 V 310 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 10A DFN8x8 1,933재고 상태
컷 테이프
₩5,756.4
₩3,073.2
₩2,636.4
₩2,433.6
릴
₩1,856.4
₩1,825.2
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-8 10 A 650 V 1.2 V 510 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 3A TO-220-2L 1재고 상태
₩3,962.4
₩2,308.8
₩1,429
₩1,319.8
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-220-2L 3 A 650 V 1.2 V 170 A 2 uA Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 12A DFN8x8 1,193재고 상태
컷 테이프
₩5,959.2
₩3,478.8
₩2,839.2
₩2,761.2
릴
₩2,761.2
₩2,074.8
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-8 12 A 650 V 1.2 V 640 A 2.4 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 10A TO-220-2L 50재고 상태
₩5,428.8
₩2,730
₩2,620.8
₩1,981.2
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-220-2L 10 A 650 V 1.2 V 510 A 2 uA Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 12A TO-220-2L 63재고 상태
150주문 중
₩5,943.6
₩3,603.6
₩2,995.2
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-220-2L 12 A 650 V 1.2 V 640 A 2.4 uA Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 4A TO-220-2L 208재고 상태
₩3,634.8
₩1,762.8
₩1,747.2
₩1,510.1
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-220-2L 4 A 650 V 1.2 V 230 A 2 uA Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 6A TO-220-2L 127재고 상태
₩4,290
₩2,106
₩2,090.4
₩1,903.2
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-220-2L 6 A 650 V 1.2 V 310 A 2 uA Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 8A TO-220-2L 21재고 상태
₩5,163.6
₩2,558.4
₩2,293.2
₩2,277.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-220-2L 8 A 650 V 1.2 V 410 A 2 uA Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 2A TO-220-2L
172주문 중
₩3,447.6
₩1,762.8
₩1,255.8
₩1,143.5
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-220-2L 2 A 650 V 1.2 V 120 A 2 uA Tube