GaN FET – Mouser 대한민국

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolGaN™ 600V GIT HEMT

Infineon Technologies CoolGaN™ 600V GIT(게이트 주입 기술) HEMT(고전자 이동도 트랜지스터)는 최소 스위칭 손실로 빠른 켜기 및 끄기 속도를 제공합니다. 이 GaN 향상 모드 전력 트랜지스터는 ThinPAK 5x6 표면 실장 패키지로 제공되며 히트싱크가 없는 소형 장치가 필요한 애플리케이션에 이상적입니다. 5mm × 6mm의 작은 풋프린트와 1mm의 낮은 프로파일 높이로, 인피니언 테크놀로지스 CoolGaN™ 600V GIT HEMT는 높은 전력 밀도 구현에 최적입니다.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

결과: 3

적용된 필터:

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Qg - 게이트 전하

Pd - 전력 발산

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RoHS 준수

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

이미지	부품 번호	제조업체	설명	데이터시트	구매 가능 정보	가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.	수량	장착 스타일	트랜지스터 극성	채널 수	Vds - 드레인 소스 항복 전압	Id - 연속 드레인 전류	Rds On - 드레인 소스 저항	Vgs - 게이트 소스 전압	Vgs th - 게이트 소스 역치 전압	Qg - 게이트 전하	최저 작동온도	최고 작동온도	Pd - 전력 발산	채널 모드	기술
GaN FET HV GAN DISCRETES IGLR65R140D2XUMA1 Infineon Technologies 1: ₩6,084 4,511재고 상태 신제품	제조업체 부품 번호 IGLR65R140D2XUMA1 Mouser 부품 번호 726-IGLR65R140D2XUMA 신제품	Infineon Technologies	GaN FET HV GAN DISCRETES Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	4,511재고 상태	컷 테이프 ₩6,084 ₩3,993.6 ₩2,792.4 ₩2,293.2 ₩2,199.6 릴 ₩1,856.4	최소: 1 배수: 1 : 5,000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	13 A	170 mOhms	- 10 V	1.6 V	2.6 nC	- 55 C	+ 150 C	46 W	Enhancement	GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies 1: ₩4,477.2 4,815재고 상태 신제품	제조업체 부품 번호 IGLR65R200D2XUMA1 Mouser 부품 번호 726-IGLR65R200D2XUMA 신제품	Infineon Technologies	GaN FET HV GAN DISCRETES Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	4,815재고 상태	컷 테이프 ₩4,477.2 ₩2,901.6 ₩1,996.8 ₩1,606.8 릴 ₩1,254.2 보기 ₩1,500.7 ₩1,472.6 ₩1,224.6	최소: 1 배수: 1 : 5,000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	9.2 A	240 mOhms	- 10 V	1.6 V	1.8 nC	- 55 C	+ 150 C	33 W	Enhancement	GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES IGLR65R270D2XUMA1 Infineon Technologies 1: ₩3,900 4,699재고 상태 신제품	제조업체 부품 번호 IGLR65R270D2XUMA1 Mouser 부품 번호 726-IGLR65R270D2XUMA 신제품	Infineon Technologies	GaN FET HV GAN DISCRETES Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	4,699재고 상태	컷 테이프 ₩3,900 ₩2,511.6 ₩1,716 ₩1,366.6 릴 ₩1,062.4 보기 ₩1,243.3 ₩1,224.6 ₩1,015.6	최소: 1 배수: 1 : 5,000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	7.2 A	330 mOhms	- 10 V	1.6 V	1.4 nC	- 55 C	+ 150 C	28 W	Enhancement	GaN

CoolGaN™ 600V GIT HEMT

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