NV60x GaNFast™ Power FETs

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs are high‑performance enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems. These FETs feature ultra‑low gate charge, zero reverse‑recovery behavior, and minimized output charge, enabling high‑frequency operation up to 10MHz across the series. The Navitas Semiconductor NV60x supports 700V continuous and 800V transient drain‑to‑source voltages, providing robust headroom for demanding AC‑DC, DC‑DC, and DC‑AC topologies.

결과: 8
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56
데이터시트
780재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 5 A 364 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 1.5 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56
데이터시트
788재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 8 A 190 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 57 W
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56
데이터시트
739재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 13 A 170 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 2.6 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56
데이터시트
725재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT QFN-8 700 V 2.7 A 600 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 0.85 nC - 55 C + 150 C 25.4 W
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

SMD/SMT QFN-8 700 V 2.7 A 600 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 0.85 nC - 55 C + 150 C 25.4 W
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 5 A 364 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 1.5 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 8 A 190 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 57 W
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 13 A 170 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 2.6 nC - 55 C + 150 C