BM6GD11BFJ-LBE2

ROHM Semiconductor
755-BM6GD11BFJ-LBE2
BM6GD11BFJ-LBE2

제조업체:

설명:
갈바닉 절연 게이트 드라이버 1CH GATE DRIVER

라이프사이클:
신제품:
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ECAD 모델:
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제품 속성 속성 값 속성 선택
ROHM Semiconductor
제품 카테고리: 갈바닉 절연 게이트 드라이버
SMD/SMT
SOP-JW8
1 Channel
2500 Vrms
- 40 C
+ 125 C
60 ns
8 ns
8 ns
Reel
Cut Tape
브랜드: ROHM Semiconductor
최대 턴-오프 지연 시간: 60 ns
최대 턴-온 지연 시간: 60 ns
드라이버 수: 1 Driver
출력 수: 1 Output
출력 전압: 4.5 V to 6 V
제품: Galvanic Gate Drivers
팩토리 팩 수량: 2500
공급 전압 - 최대: 5.5 V
공급 전압 - 최소: 4.5 V
타입: Galvanic Isolation Gate Driver
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속성 선택됨: 0

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규정 준수 코드
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
원산지 분류
COO(원산지):
태국
어셈블리 원산지:
불가능
COD(확산 공정 국가):
불가능
배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

BM6GD11BFJ-LB 1채널 게이트 드라이버

절연 기능이 내장된 ROHM Semiconductor BM6GD11BFJ-LB 1채널 게이트 드라이버는 질화갈륨(GaN) HEMT를 고속으로 구동할 수 있습니다. 이 게이트 드라이버는 2500VRMS 절연 전압, 최대 60ns 입출력 지연 시간, 최소 65ns 입력 펄스 폭을 특징으로 합니다. BM6GD11BFJ-LB 게이트 드라이버는 입력 측(VCC1과 GND1 사이)과 출력 측(VCC2와 GND2 사이)의 UVLO(저전압 록아웃) 기능으로 구성됩니다. 이 게이트 드라이버는 4.9mm x 6mm x 1.65mm 크기의 SOP-JW8 패키지로 제공됩니다. BM6GD11BFJ-LB 게이트 드라이버는 산업용 장비, 질화갈륨(GaN) HEMT 게이트 드라이브, AC 어댑터 및 서버 전력 공급 애플리케이션에 사용됩니다.

광전자

ROHM Semiconductor Optoelectronics에는 광범위한 애플리케이션에 사용하도록 설계된 디스플레이 드라이버, 레이저 다이오드, LED, LED 디스플레이 및 광학 센서의 광범위한 포트폴리오가 포함됩니다.

재고 상태: 2,358

재고:
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단가:
₩-
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예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩4,165.2 ₩4,165
₩3,120 ₩31,200
₩2,854.8 ₩71,370
₩2,558.4 ₩255,840
₩2,433.6 ₩608,400
₩2,371.2 ₩2,371,200
전체 릴(2500의 배수로 주문)
₩2,184 ₩5,460,000
₩2,137.2 ₩10,686,000