DMT47M2LDVQ 이중 N-채널 강화 모드 MOSFET

Diodes Inc. DMT47M2LDVQ 이중 N-채널 강화 모드 MOSFET은 온 상태 손실을 최소화하는 RDS(ON) 가 낮은 40V MOSFET입니다. 이 장치는 낮은 입력 정전 용량과 빠른 스위칭 속도를 제공합니다. Diodes Inc. DMT47M2LDVQ MOSFET은 자동차 애플리케이션의 엄격한 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다. AEC-Q101 인증을 받았으며 PPAP의 지원을 받습니다.

결과: 4
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
포장
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K
데이터시트
334재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K
데이터시트
15재고 상태
10,000주문 중
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 3K
데이터시트
비재고 리드 타임 36 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 3K
데이터시트
비재고 리드 타임 36 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape