Texas Instruments LM5101BMA 100V MOSFET 드라이버는 동기식 벅 또는 하프 브리지 구성으로 하이 측 및 로우 측 N-채널 MOSFET을 둘 다 구동하도록 설계되었습니다. 플로팅 하이 측 드라이버는 최대 100V의 공급 전압으로 작동할 수 있습니다. "A" 버전은 전체 3A의 게이트 드라이브를 제공하는 반면, "B" 및 "C" 버전은 각각 2A 및 1A를 제공합니다. 출력은 CMOS 입력 임계값(LM5100A/B/C) 또는 TTL 입력 임계값(LM5101A/B/C)으로 독립적으로 제어됩니다. 통합형 고전압 다이오드는 하이 측 게이트 드라이브 부트스트랩 커패시터를 충전할 목적으로 제공됩니다. 견고한 레벨 시프터는 고속으로 작동하며, 그러면서도 전력 소모가 적고 컨트롤 로직에서 고측 게이트 드라이버로 깔끔하게 전환됩니다.