CoolSiC™ 자동차용 750V G2 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 자동차용 750V G2 MOSFET은 트랙션 인버터, 보드 내장형 충전기(OBC) 및 고전압 DC/DC 변환기와 같은 전기차(EV) 애플리케이션의 까다로운 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다. 이 탄화 규소(SiC) MOSFET은 탁월한 효율, 전력 밀도 및 열 성능을 제공하여 차세대 E- 모빌리티 시스템을 가능하게 합니다. 750V의 정격 전압과 2세대 CoolSiC™ 기술을 적용한 이 장치는 기존 실리콘 솔루션 대비 향상된 스위칭 성능 및 손실 감소를 제공합니다. 이 포트폴리오는 9~78mΩ 범위의 RDS(on) 값을 포함하고 있으므로, 설계자가 전도 및 스위칭 성능을 최적화할 수 있는 유연성을 제공합니다.

결과: 23
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET 750V G2 15재고 상태
1,000주문 중
컷 테이프
₩30,092.4
₩20,436
₩17,035.2
₩17,019.6
릴
₩16,114.8
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 79 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 282 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V 196재고 상태
₩61,479.6
₩38,313.6
₩38,110.8
₩38,095.2
최소: 1
배수: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 172 A 9 mOhms - 11 V, + 25 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V 181재고 상태
₩30,576
₩18,252
최소: 1
배수: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 72 A 25 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 59 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK 63재고 상태
컷 테이프
₩15,990
₩11,310
₩9,422.4
₩8,268
릴
₩7,300.8
최소: 1
배수: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22 1 Channel 750 V 36 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V 146재고 상태
240예상 2026-10-21
₩28,423.2
₩15,724.8
₩14,664
₩13,650
최소: 1
배수: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 60 A 31 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V 255재고 상태
₩16,021.2
₩8,704.8
₩7,924.8
최소: 1
배수: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 78 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 108 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 610재고 상태
1,000예상 2026-11-05
컷 테이프
₩57,189.6
₩42,619.2
₩42,603.6
₩40,684.8
릴
₩40,357.2
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 840 V 198 A 9 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 925재고 상태
컷 테이프
₩24,367.2
₩14,398.8
릴
₩11,746.8
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C +175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 911재고 상태
컷 테이프
₩20,623.2
₩11,700
₩11,606.4
릴
₩10,966.8
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 50 A 41 mOhms - 7 V,+ 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 1,942재고 상태
컷 테이프
₩17,394
₩9,703.2
₩9,282
릴
₩8,782.8
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V,+ 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 642재고 상태
컷 테이프
₩15,709.2
₩8,673.6
₩8,283.6
릴
₩7,675.2
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 34 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 848재고 상태
컷 테이프
₩14,710.8
₩8,065.2
₩7,456.8
₩7,441.2
릴
₩7,035.6
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, + 23V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V 7재고 상태
240주문 중
₩38,485.2
₩21,980.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 85 A 20 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 74 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V 15재고 상태
240주문 중
₩19,125.6
₩10,530
₩9,937.2
최소: 1
배수: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 40 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V 11재고 상태
240주문 중
₩17,269.2
₩9,406.8
₩8,704.8
₩7,566
최소: 1
배수: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 32 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 122 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
750예상 2026-12-17
컷 테이프
₩115,128
₩100,011.6
₩82,508.4
릴
₩82,508.4
최소: 1
배수: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22 1 Channel 750 V 357 A 8 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 328 nC - 55 C + 175 C 1.499 kW Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
750예상 2026-12-24
컷 테이프
₩61,620
₩50,294.4
₩44,428.8
₩40,794
릴
₩40,794
최소: 1
배수: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22 1 Channel 750 V 220 A 9 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 164 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
2,248주문 중
컷 테이프
₩21,169.2
₩12,027.6
₩12,012
₩11,996.4
릴
₩11,200.8
최소: 1
배수: 1
: 750
SMD/SMT HD-SOP-22 1 Channel 750 V 53 A 65.6 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK top-side cooled package, 11 m
750예상 2027-09-29
컷 테이프
₩43,820.4
₩30,498
₩24,913.2
릴
₩24,897.6
최소: 1
배수: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22 1 Channel 750 V 148 A 22 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 106 nC - 55 C + 175 C 555 W Enhancement AEC-Q101 CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
750예상 2026-11-26
컷 테이프
₩29,608.8
₩22,011.6
₩19,032
₩18,018
릴
₩18,018
최소: 1
배수: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22 1 Channel 750 V 86 A 25 mOhms -7 V to + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
1,500주문 중
컷 테이프
₩17,846.4
₩9,968.4
₩9,406.8
릴
₩9,079.2
최소: 1
배수: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
240주문 중
₩48,453.6
₩34,756.8
₩31,059.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 116 A 13.8 mOhms - 7 V, + 25 V 5.6 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
240주문 중
₩22,978.8
₩15,475.2
₩13,447.2
₩12,261.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 47 A 41.3 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement CoolSiC