TRENCHSTOP™ 5 S5 중간 속도 스위칭 IGBT

Infineon TRENCHSTOP™ 5 S5 중간 속도 스위칭 IGBT는 L5와 H5 사이를 전환하는 연동 장치이자 10kHz와 40kHz 사이를 전환하는 어드레스 애플리케이션입니다. IGBT는 고효율, 시장 출시 시간 단축, 회로 설계 복잡성 감소 및 PCB BOM 비용 최적화를 제공합니다. S5는 설계자가 회로의 복잡성을 증가시키지 않고도 목표를 달성할 수 있도록 지원하는 기능을 구비하고 있습니다.

결과: 17
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
패키지/케이스
장착 스타일
구성
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-이미터 포화 전압
최대 게이트 이미터 전압
25 C의 지속적인 컬렉터 전류
Pd - 전력 발산
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장

Infineon Technologies IGBT Trenchstop 5 IGBT
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795재고 상태
6,720주문 중
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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550재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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709재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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376재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
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1,089재고 상태
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배수: 1
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 270 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
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234재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
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1,303재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 79 A 230 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Reel, Cut Tape

Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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275재고 상태
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배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
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319재고 상태
최소: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 79 A 230 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
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343재고 상태
최소: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
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81재고 상태
최소: 1
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Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
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1재고 상태
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 62 A 188 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT Trenchstop 5 IGBT
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960주문 중
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 62 A 188 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT Trenchstop 5 IGBT
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239예상 2026-10-22
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 79 A 230 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT Trenchstop 5 IGBT
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240주문 중
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
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비재고 리드 타임 9 주
최소: 240
배수: 240

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 H5 Tube