SiC MOSFET – Mouser 대한민국

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

UF4C/SC 1200V Gen 4 SiC FETs

onsemi UF4C/SC 1200V Gen 4 SiC FET는 업계 최고의 성능 지수를 제공하는 고성능 시리즈입니다. 시리즈입니다. UF4C/SC 1200V Gen 4 SiC FET는 EV용 온보드 충전기, 산업용 배터리 충전기, 산업용 전원 공급 장치, 재생 에너지, 에너지 저장 장치, 용접기, UPS 및 유도 가열 애플리케이션의 메인스트림 800V 버스 아키텍처에 이상적입니다. 23mΩ ~ 70mΩ 옵션으로 제공되는 Gen 4 시리즈는 표준 게이트 드라이브 SiC 장치를 생산하기 위해 캐스코드에 최적화된 Si-MOSFET과 고성능 SiC JFET을 공동 패키징하는 고유한 캐스코드 구성을 기반으로 합니다. 이러한 특징 덕분에 게이트 드라이브 전압을 변경하지 않고 유연하게 설계할 수 있으며 Si IGBT, Si FET, SiC FET 또는 Si 초접합 소자를 쉽게 대체할 수 있습니다.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

결과: 11

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Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Qg - 게이트 전하

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

이미지	부품 번호	제조업체	설명	데이터시트	구매 가능 정보	가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.	수량	장착 스타일	패키지/케이스	채널 수	Vds - 드레인 소스 항복 전압	Id - 연속 드레인 전류	Rds On - 드레인 소스 저항	Vgs - 게이트 소스 전압	Vgs th - 게이트 소스 역치 전압	Qg - 게이트 전하	최저 작동온도	최고 작동온도	Pd - 전력 발산	채널 모드	상표명
SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO247-4 UF4C120070K4S onsemi 1: ₩20,362.9 384재고 상태	제조업체 부품 번호 UF4C120070K4S Mouser 부품 번호 431-UF4C120070K4S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO247-4 onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	384재고 상태	₩20,362.9 ₩13,105.6 ₩11,019.9	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	27.5 A	91 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V		- 55 C	+ 175 C	217 W		SiC FET
SiC MOSFET 1200V/23MOSICFETG4TO247-4 UF4SC120023K4S onsemi 1: ₩37,132.4 673재고 상태	제조업체 부품 번호 UF4SC120023K4S Mouser 부품 번호 431-UF4SC120023K4S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/23MOSICFETG4TO247-4 onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	673재고 상태	₩37,132.4 ₩31,101 견적 견적	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	53 A	29 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V	37.8 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement	SiC FET
SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO247-4 UF4C120053K4S onsemi 1: ₩23,195.4 727재고 상태	제조업체 부품 번호 UF4C120053K4S Mouser 부품 번호 431-UF4C120053K4S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO247-4 onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	727재고 상태	₩23,195.4 ₩13,612.9 ₩13,161.9	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	34 A	67 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V		- 55 C	+ 175 C	263 W		SiC FET
SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO26 UF4C120053B7S onsemi 1: ₩22,476.7 580재고 상태	제조업체 부품 번호 UF4C120053B7S Mouser 부품 번호 772-UF4C120053B7S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO26 onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	580재고 상태	컷 테이프 ₩22,476.7 ₩13,359.2 ₩13,204.2 릴 ₩12,640.5	최소: 1 배수: 1 : 800	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	34 A	53 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V	37.8 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	SiC FET
SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO26 UF4C120070B7S onsemi 1: ₩19,503.3 513재고 상태	제조업체 부품 번호 UF4C120070B7S Mouser 부품 번호 772-UF4C120070B7S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO26 onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	513재고 상태	컷 테이프 ₩19,503.3 ₩11,189 릴 ₩10,512.6	최소: 1 배수: 1 : 800	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	25.7 A	72 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V		- 55 C	+ 175 C	183 W	Enhancement	SiC FET
SiC MOSFET 1200V/30MOSICFETG4TO263-7 UF4SC120030B7S onsemi 1: ₩30,805.1 675재고 상태	제조업체 부품 번호 UF4SC120030B7S Mouser 부품 번호 772-UF4SC120030B7S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/30MOSICFETG4TO263-7 onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	675재고 상태	컷 테이프 ₩30,805.1 ₩20,038.8 ₩19,672.4 릴 ₩19,672.4 견적 견적	최소: 1 배수: 1 : 800	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	56 A	39 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V	37.8 nC	- 55 C	+ 175 C	341 W	Enhancement	SiC FET
SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO24 UF4C120053K3S onsemi 1: ₩22,800.9 222재고 상태	제조업체 부품 번호 UF4C120053K3S Mouser 부품 번호 431-UF4C120053K3S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO24 onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	222재고 상태	₩22,800.9 ₩12,936.5 ₩12,880.1	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	34 A	67 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V		- 55 C	+ 175 C	263 W		SiC FET
SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO24 UF4C120070K3S onsemi 1: ₩19,827.4 304재고 상태	제조업체 부품 번호 UF4C120070K3S Mouser 부품 번호 431-UF4C120070K3S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO24 onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	304재고 상태	₩19,827.4 ₩11,076.3 ₩10,738.1	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	27.5 A	91 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V		- 55 C	+ 175 C	217 W		SiC FET
SiC MOSFET UF4C120053B7S UF4C120053B7SSR onsemi 1: ₩24,520.1 200재고 상태 공장 특별 주문	제조업체 부품 번호 UF4C120053B7SSR Mouser 부품 번호 772-UF4C120053B7SSR 공장 특별 주문	onsemi	SiC MOSFET UF4C120053B7S onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	200재고 상태	₩24,520.1 ₩18,671.9 ₩15,557.6 보기 ₩13,852.4 ₩12,950.5	최소: 1 배수: 1	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	34 A	53 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V	37.8 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	SiC FET
SiC MOSFET UF4C120070B7S UF4C120070B7SSR onsemi 1: ₩20,362.9 170재고 상태 공장 특별 주문	제조업체 부품 번호 UF4C120070B7SSR Mouser 부품 번호 772-UF4C120070B7SSR 공장 특별 주문	onsemi	SiC MOSFET UF4C120070B7S onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	170재고 상태	₩20,362.9 ₩15,515.3 ₩12,922.4 보기 ₩11,513.2 ₩10,822.7	최소: 1 배수: 1	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	25.7 A	72 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V		- 55 C	+ 175 C	183 W	Enhancement	SiC FET
SiC MOSFET 1200V/30MOSICFETG4TO247-4 UF4SC120030K4S onsemi 600: ₩19,897.9 5,400구매 가능한 공장 재고품	제조업체 부품 번호 UF4SC120030K4S Mouser 부품 번호 431-UF4SC120030K4S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/30MOSICFETG4TO247-4 onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	5,400구매 가능한 공장 재고품 추가 정보 있음	₩19,897.9	최소: 600 배수: 600	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	53 A	39 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V	37.8 nC	- 55 C	+ 175 C	341 W	Enhancement	SiC FET

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