GaN HEMT-Based MMIC Power Amplifiers

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT)-Based Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) Power Amplifiers are optimized for high-power applications, such as ultra-broadband amplifiers, satellite uplinks, and test instrumentation. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. The GaN HEMTs also offer greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. These MACOM MMIC power amplifiers enable wide bandwidths to be achieved in a small footprint.

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MACOM RF 증폭기 GaN MMIC Power Amp 2.5-6.0GHz, 25 Watt
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9재고 상태
₩1,609,306.4
최소: 1
배수: 1
2.5 GHz to 6 GHz 28 V 1.2 A 24 dB Power Amplifiers Screw GaN SiC 26 dBm - 55 C + 150 C Tray
MACOM RF 증폭기 GaN MMIC Power Amp 0.02-6.0GHz, 2 Watt 38재고 상태
₩488,386.4
₩421,111.2
₩404,299.5
최소: 1
배수: 1
20 MHz to 6 GHz 28 V 100 mA 17 dB Power Amplifiers Screw GaN SiC 23 dBm - 40 C + 150 C Tray
MACOM RF 증폭기 GaN MMIC Power Amp 0.02-6.0GHz, 25 Watt
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8주문 중
₩1,338,387.7
최소: 1
배수: 1
20 MHz to 6 GHz 50 V 500 mA 17 dB Power Amplifiers Screw GaN SiC 32 dBm - 40 C + 150 C Tray
MACOM RF 증폭기 GaN MMIC Power Amp 13.75-14.5GHz 25Watt
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비재고 리드 타임 26 주
₩1,182,487.9
최소: 10
배수: 10
13.75 GHz to 14.5 GHz 40 V 240 mA 24 dB Power Amplifiers Screw GaN - 15 dBm - 40 C + 85 C Tray
MACOM RF 증폭기 GaN MMIC Power Amp 6.0-12.0GHz, 25 Watt
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비재고 리드 타임 26 주
₩2,499,371.2
최소: 1
배수: 1
6 GHz to 12 GHz 28 V 2 A 34 dB Power Amplifiers Screw GaN 46.2 dBm 22 dBm - 40 C + 150 C Tray