D2-PAK 패키지로 제공되는 UF3C SiC FET

D2-PAK-3L 및 D2-PAK-7L 표면 실장 패키지로 제공되는 Qorvo UF3C SiC FET는 고유한 캐스코드 회로 구성을 기반으로 하며 탁월한 역방향 회복이 특징입니다. 캐스코드 회로 구성에서 상시 작동 SiC JFET는 Si MOSFET과 함께 패키징되어 상시 오프 SiC FET 장치를 생성합니다. 이 SiC FET는 낮은 보디 다이오드, 낮은 게이트 전하 및 0 V~15 V 드라이브를 허용하는 4.8 V 임계 전압을 제공합니다. 이 D2-PAK SiC FET 장치는 ESD 보호되며 >6.1mm의 패키지 연면 거리와 간극 거리를 제공합니다. FET(전계발광소자)의 표준 게이트 드라이브 특성은 Si IGBT, Si FET, SiC MOSFET 또는 Si 초접합을 위한 드롭인 대체품입니다. 이는 1 200 V 및 650 V 드레인-소스 항복 전압 변형 제품으로 제공되며 텔레콤 및 서버 전원, 산업용 전원 공급 장치, 모터 드라이브 및 유도 가열과 같은 제어된 환경에서 사용하기에 이상적입니다.

결과: 7
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
상표명
onsemi SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO26
데이터시트
618재고 상태
컷 테이프
₩27,098.9
₩16,995
₩15,867.6
릴
₩15,867.6
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 28.8 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO2
데이터시트
343재고 상태
컷 테이프
₩17,995.5
₩10,329.4
₩9,512.1
₩9,004.8
릴
₩9,004.8
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 150 mOhms - 25 V, + 25 V 4.4 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
데이터시트
26재고 상태
2,400예상 2027-01-15
컷 테이프
₩16,417.2
₩11,597.7
₩8,610.2
₩8,328.4
릴
₩8,032.4
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-3
데이터시트
1,241재고 상태
컷 테이프
₩16,600.4
₩9,568.5
₩8,694.8
₩8,229.7
릴
₩8,229.7
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO263-7
데이터시트
588재고 상태
800예상 2027-01-08
컷 테이프
₩13,035.1
₩7,144.6
₩6,566.9
₩6,369.6
릴
₩6,130
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 5.9 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-7
데이터시트
716예상 2027-11-11
컷 테이프
₩18,996
₩11,034
₩10,287.2
₩9,737.6
릴
₩9,737.6
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 27 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-3
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
컷 테이프
₩37,837
₩26,309.8
₩25,985.6
₩25,816.5
릴
₩24,083.2
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 65 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 25 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET