60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs offer low reverse transfer capacitance in an AEC-Q101-qualified DFN5060-8L package. Operating within a -55°C to +150°C junction temperature range, these MOSFETs provide a maximum power dissipation range from 20W to 50W and single pulse avalanche ratings (28A current, 39mJ energy). Applications include automotive LED lighting, wireless chargers, and DC/DC converters.

결과: 5
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
포장
Panjit MOSFET 60V 6m ohms AECQ101 qualified Solution for Automotive lighting
데이터시트
5,885재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 68 A 6 mOhms 20 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 215 A
데이터시트
1,979재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 215 A 2.6 mOhms 20 V 3 V 82 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 95 A
데이터시트
1,903재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 95 A 6.1 mOhms 20 V 3 V 40 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 64 A
데이터시트
1,429재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 64 A 9 mOhms 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
데이터시트
재고 없음
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si Reel, Cut Tape, MouseReel