N-채널 MDmesh K6 전력 MOSFET

STMicroelectronics  N-채널 MDmesh K6 전력 MOSFET은 제너 보호와 100% Avalanche 테스트를 거친 제품입니다. 이 전력 MOSFET는 800V의 최소 드레인-소스 전압, ±30V 게이트-소스 전압, -55°C~150°C의 작동 접합부 온도 범위가 특징입니다. MDmesh K6 전력 MOSFET은 5V/ns 피크 다이오드 복구 전압 슬로프, 100μA/µs 피크 다이오드 복구 전류 슬로프, 120V/ns MOSFET dv/dt 견고성이 특징입니다. 일반적으로 노트북과 AIO, 플라이백 컨버터, 태블릿용 어댑터, LED 조명에 사용됩니다.

결과: 12
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
데이터시트
2,358재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 340 mOhms 10 V 3 V 17.8 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
데이터시트
790재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 450 mOhms 30 V 3 V 17.3 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
데이터시트
2,334재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 220 Ohms 30 V 4 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 105 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
데이터시트
997재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 1.1 Ohms 30 V 4 V 5.7 nC - 55 C + 150 C 21 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET
데이터시트
1,008재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 220 mOhms 30 V 3.5 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
데이터시트
1,055재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET
데이터시트
169재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 450 mOhms Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
데이터시트
698재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 600 mOhms 30 V 4 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
데이터시트
37재고 상태
2,000주문 중
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 600 mOhms 30 V 4 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement MDmesh Tube


STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
데이터시트
58재고 상태
1,000예상 2027-05-14
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 220 mOhms 30 V 4 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,000
배수: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 1 Channel 800 V 12 A 340 mOhms 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 115 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,000
배수: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms 30 V 3.5 V 7 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube