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RD3U041AAFRATL

Name: ROHM Semiconductor RD3U041AAFRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3U041AAFRATL
Price: 3712 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

755-RD3U041AAFRATL

제조업체 번호:

RD3U041AAFRATL

제조업체:

ROHM Semiconductor

설명:

MOSFET TO252 250V 4.1A N-CH MOSFET

데이터시트:

RD3U041AAFRATL 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ROHM Semiconductor
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	TO-252-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	250 V
Id - 연속 드레인 전류:	4 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	1.3 Ohms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 30 V, 30 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	5.5 V
Qg - 게이트 전하:	8.5 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	29 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	ROHM Semiconductor
구성:	Single
하강 시간:	15 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	14 ns
시리즈:	RD3
팩토리 팩 수량:	2500
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	18 ns
표준 턴-온 지연 시간:	15 ns
부품번호 별칭:	RD3U041AAFRA
단위 중량:	330 mg

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속성 선택됨: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

문서 필터:

데이터시트

RD3U041AAFRATL 데이터시트

Specification Sheets

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규정 준수 코드

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 태국
어셈블리 원산지:: 불가능
COD(확산 공정 국가):: 불가능

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

RD3U041AAFRA N-채널 250V 4A 전력 MOSFET

ROHM Semiconductor RD3U041AAFRA N-채널 250V 4A 전력 MOSFET은 낮은 온 상태 저항과 빠른 스위칭이 특징입니다. 간단한 드라이브 회로와 250V 드레인-소스 전압을 제공하는 RD3U041AAFRA는 스위칭 애플리케이션에 적합합니다. ROHM RD3U041AAFRA N-채널 250V 4A 전력 MOSFET은 AEC-Q101 인증을 받은 자동차 등급 MOSFET입니다.

주요 제품

ROHM SEMICONDUCTOR

600V 슈퍼 접합(SJ) MOSFET

방열이 우수한 콤팩트하고 낮은 프로필 패키지 옵션을 제공합니다.

600V 슈퍼 접합(SJ) MOSFET 에 대해

RH7G03BBJFRA P-채널 전력 MOSFET

이 MOSFET은 V_DSS 정격 -40V와 I_D 정격 (V_DS = -10V) ±22A를 갖습니다.

RH7G03BBJFRA P-채널 전력 MOSFET 에 대해

RJ1P10BAT P-채널 전력 MOSFET

이 MOSFET은 V_DSS 정격 -100V, I_D 정격(V_DS = 10V) ±105A를 갖습니다.

RJ1P10BAT P-채널 전력 MOSFET 에 대해

RD3x 오토모티브 N-채널 파워 MOSFET

AEC-Q101 인증 MOSFET으로, 낮은 순방향 전압, 빠른 리커버리 타임, 높은 서지 내성을 특징으로 합니다.

RD3x 오토모티브 N-채널 파워 MOSFET 에 대해

RQxAT P채널 MOSFET

낮은 온 상태 저항을 가진 표면 실장 패키징이 특징이며, 100% Rg 및 UIS 테스트 완료.

RQxAT P채널 MOSFET 에 대해

재고 상태: 1,648

재고:: 1,648 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 32 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩3,712.8	₩3,713
	₩2,386.8	₩23,868
	₩1,622.4	₩162,240
	₩1,291.7	₩645,850
	₩1,224.6	₩1,224,600
전체 릴(2500의 배수로 주문)
	₩1,092	₩2,730,000

RD3U041AAFRATL

제조업체: ROHM Semiconductor

설명: MOSFET TO252 250V 4.1A N-CH MOSFET

사양

제품 코멘트

설명서 (3)

데이터시트

Specification Sheets

환경 문서

제품 및 무역 규정 준수

추가 정보

RD3U041AAFRA N-채널 250V 4A 전력 MOSFET

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주요 제품 ROHM SEMICONDUCTOR

재고 상태: 1,648

가격 (KRW)

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제조업체:

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설명:

MOSFET TO252 250V 4.1A N-CH MOSFET

주요 제품

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