2N7002 N-채널 E-모드 전계 효과 트랜지스터
Diodes Incorporated 2N7002 N-채널 향상 모드 전계 효과 트랜지스터(FET)는 저전압 스위칭 애플리케이션을 위해 설계되었습니다. 이 2N7002 장치는 최대 드레인 소스 전압(VDS) 60V, 연속 드레인 전류(ID) 105mA ~ 210mA, 7.5Ω~13.5Ω의 낮은 온 저항[RDS(on)]을 특징으로 합니다. FET는 신호 처리, 부하 스위칭 및 레벨 시프팅 애플리케이션에 적합한 낮은 게이트 전하로 신속한 스위칭 성능을 제공합니다. Diodes Inc. 트랜지스터는 SOT-23 또는 SOT-323 패키지로 제공되어 고밀도 회로 설계에 있어 공간 효율성을 보장합니다. 또한, 2N7002 FET는 무연, RoHS 규격을 준수하며 자동화된 표면 실장 조립을 위해 설계되었습니다.
