Cypress 고속 비동기 SRAM

Cypress의 고속 비동기 SRAM 장치 포트폴리오에는 64kb~32Mb 범위의 제품이 포함됩니다. 고속 SRAM은 업계 표준 전압, 버스 폭, 패키지 옵션으로 제공됩니다. Cypress의 고성능 CMOS 기술을 사용하여 개발한 이 장치는 빠른 액세스 시간(8~12ns)을 제공하며, 스위치 및 라우터, IP 전화, 테스트 장비, DSLAM 카드, 자동차 전자 장치와 같은 같은 애플리케이션을 위한 이상적인 선택입니다. 또한, Cypress는 산업 등급 및 자동차 온도 등급 규격에 맞는 고속 비동기 SRAM 제품도 제공합니다.
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결과: 17
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기
조직
액세스 시간
인터페이스 타입
공급 전압 - 최대
공급 전압 - 최소
공급 전류 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
장착 스타일
패키지/케이스
포장
Infineon Technologies SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit
데이터시트
2,105재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Infineon Technologies SRAM ASYNC SRAMS
데이터시트
2,194재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 500

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC
데이터시트
286재고 상태
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-54 Tray
Infineon Technologies SRAM ASYNC SRAMS
데이터시트
1,237재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Infineon Technologies SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit
데이터시트
1,180재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit
데이터시트
1,941재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC
데이터시트
229재고 상태
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-48 Tray
Infineon Technologies SRAM ASYNC SRAMS
데이터시트
34재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit
데이터시트
5재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Tube
Infineon Technologies SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit
데이터시트
33재고 상태
570예상 2026-08-12
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Tube
Infineon Technologies SRAM ASYNC SRAMS
데이터시트
120재고 상태
500주문 중
최소: 1
배수: 1
: 500

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC
데이터시트
879예상 2026-08-27
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-54 Tray
Infineon Technologies SRAM ASYNC SRAMS
데이터시트
999예상 2026-09-24
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC
데이터시트
168예상 2027-01-07
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 512 k x 32 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT PBGA-119 Tray
Infineon Technologies SRAM Async SRAMS
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies CY7C1051H30-10BVXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Reel
Infineon Technologies CY7C1051H30-10BVXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,400
배수: 2,400

Tray