HiPerFET 및 MOSFET 전원 공급 장치

IXYS HiPerFET 및 MOSFET 전원 공급 장치는 SMPD 패키지로 제공되며 비교 가능한 기존 전력 모듈보다 훨씬 가볍습니다(일반적으로 50%). 따라서 설계자는 더 가벼운 전원 공급 시스템을 만들 수 있습니다. 소형의 초저 프로파일 패키지 덕분에 여러 장치에 대해 동일 한 방열판를 사용할 수 있으므로 PCB 공간을 절약할 수 있습니다. 작고 가벼워지는 이점은 특히 휴대용 기기에 사용될 경우 진동과 G 응력에 대한 더 나은 보호 기능을 제공한다는 점입니다. 또한 이러한 이점 덕분에 장치의 기대 수명과 신뢰성이 향상됩니다.

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기술
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패키지/케이스
IXYS MOSFET 모듈 24SMPD N-CH 75V 500A
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82재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFET Modules Si SMD/SMT SMPD-24
IXYS MOSFET SMPD MOSFET Power Device
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80예상 2026-12-29
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si SMD/SMT SMPD-24
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
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비재고 리드 타임 44 주
최소: 300
배수: 20
MOSFETs Si SMD/SMT SMPD-24
IXYS MOSFET SMPD MOSFET Power Device
데이터시트
비재고 리드 타임 25 주
최소: 300
배수: 20

MOSFETs Si SMD/SMT SMPD-24
IXYS MOSFET 모듈 SMPD 300V 108A N-CH POLAR3
데이터시트
비재고 리드 타임 39 주
최소: 300
배수: 20

MOSFET Modules Si SMD/SMT
IXYS MOSFET SMPD MOSFET Power Device
데이터시트
비재고 리드 타임 25 주
최소: 300
배수: 20

MOSFETs Si SMD/SMT SMPD-24
IXYS MOSFET SMPD MOSFET Power Device
데이터시트
비재고 리드 타임 25 주
최소: 300
배수: 20

MOSFETs Si SMD/SMT SMPD-24
IXYS MOSFET SMPD MOSFET Power Device
데이터시트
비재고 리드 타임 46 주
최소: 300
배수: 20

MOSFETs Si SMD/SMT SMPD-24
IXYS MOSFET SMPD MOSFET Power Device
데이터시트
비재고 리드 타임 32 주
최소: 300
배수: 20

MOSFETs Si SMD/SMT SMPD-24
IXYS MOSFET HiperFET Pwr MOSFET Q3-Class
데이터시트
비재고 리드 타임 46 주
최소: 300
배수: 20

MOSFETs Si SMD/SMT SMPD-24
IXYS MOSFET SMPD MOSFET Power Device
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 300
배수: 20

MOSFETs Si SMD/SMT SMPD-24
IXYS MOSFET 40V 600A
데이터시트
비재고 리드 타임 32 주
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si SMD/SMT SMPD-24
IXYS MOSFET 모듈 SMPD 500V 30A N-CH POLAR3
데이터시트
비재고 리드 타임 28 주
최소: 300
배수: 20

MOSFET Modules Si SMD/SMT
IXYS MMIX1T660N04T4
IXYS MOSFET 모듈 Disc MSFT SMPD Pkg-HiPerFETMSFT SMPD-B
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

MOSFET Modules Si SMD/SMT