DTMOSV Super Junction MOSFETs

Toshiba DTMOSV Super Junction MOSFETs are N-channel, deep trench semiconductor technology for high-efficient power MOSFETs. The DTMOSV operates with lower EMI noise, and a 17% reduction On-Resistance RDS(ON) compared to the DTMOSIV MOSFETs. The DTMOSV has a deep trench etching process, that results in a narrowing of cell pitch, and a lowering of RDS(ON) when compared with more conventional planar processes. DTMOSV Super Junction MOSFETs are ideal to improve performance and facilitate the design of power conversion applications. Applications include switching power supplies, power factor correction (PFC) designs, and LED lighting.

결과: 12
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A
데이터시트
1,900재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 560 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A
데이터시트
3,372재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 35W 730pF 11.5A
데이터시트
1,043재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A
데이터시트
3,850재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 60W 380pF 7.0A
데이터시트
1,357재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 560 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 35W 730pF 11.5A
데이터시트
97재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A
데이터시트
741재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 30W 380pF 7.0A
데이터시트
177재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 560 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 590pF 9.7A
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSV Reel
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 380pF 7.0A
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 560 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube