BUK7Y1R0-40N 및 BUK7Y3R1-80M N-채널 MOSFET

Nexperia BUK7Y1R0-40N & BUK7Y3R1-80M N- 채널 MOSFET은 AEC-Q101 요구 사항을 충족하도록 설계 및 인증되어 높은 성능과 내구성을 제공합니다. 이 MOSFET은 최적의 감쇠 및 낮은 스파이크로 빠르고 효율적인 스위칭을 제공합니다. BUK7Y1R0-40N 및 BUK7Y3R1-80M N- 채널 MOSFET은 LFPAK56 패키지 내에 캡슐화 되어 있습니다. BUK7Y1R0-40N N채널 MOSFET은 Trench 15 저저항 e-TBO(enhanced-Trench Bottom Oxide) 기술을 활용하고, BUK7Y3R1-80M은 Trench 14 저저항 분할 게이트 기술을 활용합니다. 이 N채널 MOSFET은 EU RoHS 규격을 준수하고 최대 접합 온도 범위가 175°C입니다. 일반적인 애플리케이션에는 모터, 조명, 솔레노이드 제어, 12V 자동차 시스템 및 초고성능 전력 스위칭이 포함됩니다.

결과: 2
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
Nexperia MOSFET BUK7Y1R0-40N/SOT669/LFPAK
데이터시트
345재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 320 A 970 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 135 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Nexperia MOSFET BUK7Y3R1-80M/SOT669/LFPAK
데이터시트
1,498예상 2026-08-03
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 80 V 160 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement