MJD44H11A 및 MJD45H11A 80V 8A 바이폴라 트랜지스터

Nexperia MJD44H11A 및 MJD45H11A 80V 8A 바이폴라 트랜지스터는 전원 DPAK, TO-252(SOT428C) 표면 실장 장치(SMD) 플라스틱 패키지로 제공되는 고온 전력 손실 성능을 제공합니다. 이 장치는 낮은 발열 덕분에 높은 에너지 효율을 제공하고 낮은 컬렉터 이미터 포화 전압이 특징입니다. MJD44H11A와 MJD45H11A는 선형 전압 레귤레이터, 전력 관리 및 정전류 드라이브 백라이트를 포함한 다양한 애플리케이션에 이상적입니다.

결과: 4
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
구성
최대 DC 콜렉터 전류
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
이미터-베이스 전압 VEBO
콜렉터-이미터 포화 전압
Pd - 전력 발산
게인 대역폭 제품 fT
최저 작동온도
최고 작동온도
포장
Nexperia 양극성 트랜지스터 - BJT MJD45H11A/SOT428/DPAK
데이터시트
1,152재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 8 A 80 V 6 V 1 V 20 W 80 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia 양극성 트랜지스터 - BJT MJD44H11/SOT428/DPAK
데이터시트
6재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 8 A 80 V 6 V 1 V 20 W 160 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia 양극성 트랜지스터 - BJT MJD44H11A/SOT428/DPAK
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 8 A 80 V 6 V 1 V 20 W 160 MHz - 55 C + 150 C Reel
Nexperia 양극성 트랜지스터 - BJT MJD45H11/SOT428/DPAK
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 8 A 80 V 6 V 1 V 20 W 80 MHz - 55 C + 150 C Reel